一种双材料激光倍频晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116706660A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310705601.1

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本申请公开了一种双材料激光倍频晶体及其制备方法和应用。所述双材料激光倍频晶体包括非线性光学晶体和折射率匹配材料;所述非线性光学晶体的表面设有周期性凹槽,所述折射率匹配材料置于所述周期性凹槽内。本申请通过选取非线性光学晶体作为基底材料,在晶体表面挖刻出具有光滑陡直界面的周期性结构,再将折射率匹配材料填充进基底材料的去除区域,用于匹配倍频光在晶体基底材料中的折射折射率,通过精确调控单周期内基底材料未去除区域和已去除区域的长度,来实现工作在基底材料透明波长范围内的倍频激光输出。

    一种高功率的Tm脉冲激光器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117060213A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310966907.2

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 本申请公开了一种高功率的Tm脉冲激光器,采用双端泵浦结构,能够有效提升Tm脉冲激光器所能承受的最高泵浦功率;通过在腔内插入第四凸透镜,能够有效克服高功率双端泵浦结构下Tm激光晶体严重的热透镜效应所产生的激光器输出功率受限和功率曲线不稳定的问题,同时也能起到延长激光器腔长的作用,使之能够充分放置各类用于主动调Q和腔倒空,具有不同工装尺寸的调Q元件,如波片、偏振片和激光脉冲调制器。

    一种多轴线性位移平台的软件异常自修复方法及系统

    公开(公告)号:CN116560911A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310559418.5

    申请日:2023-05-17

    Abstract: 本发明涉及一种多轴线性位移平台的软件异常自修复方法及系统,其中方法包括以下步骤:基于多轴线性位移平台的操作软件,将操作软件的操作系统备份至存储芯片形成差分包备份数据;多轴线性位移平台上电后,等待操作系统和外围设备启动,在启动后运行操作系统并启动引导程序;读取当前运行的操作系统的系统文件,与保存于存储芯片中的差分包备份数据进行特征对比;若特征对比异常,则读取差分包备份数据对操作系统进行恢复并重启操作系统;若特征对比正常,则正常启动操作系统。

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