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公开(公告)号:CN113675129B
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202110840302.X
申请日:2021-07-24
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用,所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层,所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合,所述衬底为可透过紫外光衬底,所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中,用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合,实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力,进而提高转移良率和效率。
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公开(公告)号:CN113675129A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202110840302.X
申请日:2021-07-24
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用,所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层,所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合,所述衬底为可透过紫外光衬底,所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中,用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合,实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力,进而提高转移良率和效率。
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公开(公告)号:CN118351112B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410768121.4
申请日:2024-06-14
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种基于喷墨制备量子点色转换层的异常检测方法,包括以下步骤:异常分析及数据准备,具体为,采集若干色转换层图像,色转换层图像包括正常图像及含各类型异常像素的图像,对色转换层图像预处理后得到样本数据库,通过异常生成模块,生成与采集图像中所有图像对应的异常图像及异常掩码图;训练去噪特征重构网络;训练分割网络;通过训练好的去噪特征重构网络和分割网络对待检测色转换层图像进行异常检测。本发明对量子点层形貌实现高准确率及覆盖率的智能化异常检测,提升检测速度,同时为生产工艺的提升提供指导,降低生产的不良概率,从而优化产线的生产效率。
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公开(公告)号:CN118351112A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202410768121.4
申请日:2024-06-14
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种基于喷墨制备量子点色转换层的异常检测方法,包括以下步骤:异常分析及数据准备,具体为,采集若干色转换层图像,色转换层图像包括正常图像及含各类型异常像素的图像,对色转换层图像预处理后得到样本数据库,通过异常生成模块,生成与采集图像中所有图像对应的异常图像及异常掩码图;训练去噪特征重构网络;训练分割网络;通过训练好的去噪特征重构网络和分割网络对待检测色转换层图像进行异常检测。本发明对量子点层形貌实现高准确率及覆盖率的智能化异常检测,提升检测速度,同时为生产工艺的提升提供指导,降低生产的不良概率,从而优化产线的生产效率。
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公开(公告)号:CN116199192A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202310050880.2
申请日:2023-02-02
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提供了一种热注入法制备的氮化镓量子点及其制备方法,包括以下步骤:将前驱物氯化镓与脂肪胺类溶剂搅拌混合均匀;在惰性气氛中加热并维持一段时间。将混合溶液升至预定温度,通过注射器注入双三甲基硅基胺基锂作为氮源并保持一段时间;降至室温后,用丙酮作为反溶剂和正己烷作为良溶剂,多次洗涤离心,最终得到氮化镓量子点。
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公开(公告)号:CN115663102A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202210318911.3
申请日:2022-03-29
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种高强度芯片键合结构,包括用于连接n层芯片的连接结构,n≥2,所述连接结构由多组金属墙和多个金属电极组成,一组金属墙由对应于n层芯片的n个金属墙键合连接得到,以实现芯片之间的键合连接;不同层的芯片上的电极分别与一个金属电极电性连接,两个金属电极同时与同一组金属墙电性连接,以经由金属墙实现芯片之间的电性连接。该结构键合连接可靠,电性连接好,且使用寿命长。
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