公开(公告)号：CN119212520A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411052830.9

申请日：2024-08-01

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 余永燊 ,  李福山 ,  胡海龙 ,  杨开宇

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/15 ,  H10K71/00 ,  H10K50/115 ,  H10K50/80 ,  B41J3/407 ,  B41J11/00 ,  B29C35/02

Abstract: 本申请公开了一种超高分辨率QLED器件及其制备方法，将绝缘层材料纵横交错打印在基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层中的任意一层上，由于打印的绝缘层材料不能进行电荷的传输，使QLED器件形成均匀的阵列化图案，高效且简单地得到一种超高分辨率的QLED器件，其像素点大小可以达到约5um左右，为突破万级PPI像元显示技术提供另外一种简易的方法，制备过程安全无污染，不生成副产物并且工艺流程简单易操作，同时材料利用率高、精度高。

公开(公告)号：CN119136626A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411052855.9

申请日：2024-08-01

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 余永燊 ,  李福山 ,  胡海龙 ,  杨开宇

IPC: H10K71/18 ,  H10K71/10 ,  H10K50/115 ,  H01L21/68 ,  B41F16/00

Abstract: 本申请公开了一种制备高分辨率全彩量子点发光二极管的方法及设备，包括基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层等的制备以及设备的封装等步骤，该方法可以大幅提高量子点转移速度和转移精度，也增加了制备过程的稳健性和可重复性，因此，在量子点光电领域中，本申请相对于传统的制备方法具有独特的优势和创新点，可以大幅提高发光二极管在全彩显示、背景照明、生物成像等应用领域的性能和应用前景。