一种光纤预制棒芯棒的掺氯制备方法

    公开(公告)号:CN117776516A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311827414.7

    申请日:2023-12-27

    Abstract: 本发明涉及一种光纤预制棒芯棒的掺氯制备方法,采用管内气相沉积工艺,将玻璃衬管装夹于沉积车床上,玻璃衬管的一端通入原料气体,在高温热源的作用下原料气体沿着玻璃衬管的轴向连续反应在衬管内壁不断生成掺杂二氧化硅沉积层,其特征在于所述的原料气体包括有四氯化硅和氧气,在沉积过程中,通过调整氧气流量和氧气分压/四氯化硅分压的比值,并调整沉积区域的热源温度,达到沉积层不同的掺氯浓度。本发明能够实现分区域不同浓度的掺氯控制,特别是针对芯层的氯掺杂可以精确的控制折射率剖面,通过芯层掺氯可使光纤芯层形成更好的玻璃晶格结构,降低光纤的衰减。

    一种低衰减弯曲不敏感单模光纤

    公开(公告)号:CN105334570B

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201510833247.6

    申请日:2015-11-26

    Abstract: 本发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰减弯曲不敏感单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层折射率按α次抛物线形分布,分布指数α为1.5~9.0,所述的包层从内到外依次为内包层、中间包层和外包层,所述的抛物线形芯层最大相对折射率差Δ1为0.25%~0.45%,芯层半径R1为5.0μm~7.0μm;所述的内包层相对折射率差Δ2为‑0.20%~0%,内包层半径R2为7.0μm~10.0μm;所述的中间包层相对折射率差Δ3为‑0.20%~0%,中间包层半径R3为10.0μm~20.0μm;所述的外包层为纯石英玻璃层。本发明不仅折射率剖面设计合理,掺杂量低,而且具有优良的抗衰减和抗弯曲性能。

    一种制备超低衰减光纤的方法

    公开(公告)号:CN107162401A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710398104.6

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种制备超低衰减光纤的方法,在含有芯层、内包层、下陷包层结构的玻璃预制棒中通过掺杂碱金属,使芯层全部或部分含有碱金属,再经过熔缩、腐蚀、熔实得到含有碱金属的光纤预制棒,光纤预制棒通过拉丝得到含有碱金属的超低衰减光纤,其特征在于采用管内气相沉积掺杂或扩散法掺杂碱金属时,在玻璃预制棒的进气端串接一缩颈玻璃管,碱金属源化合物置于该缩颈玻璃管内,且该缩颈玻璃管的至少一端的直径小于玻璃预制棒的直径。本发明能够获得高浓度的芯层碱金属含量,并且获得较低温度下的碱金属蒸汽引入到所需预制棒的芯层中,制备工艺简单,设备更加实用。

    一种超低损耗大有效面积单模光纤

    公开(公告)号:CN119395807A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411476248.5

    申请日:2024-10-22

    Abstract: 本发明涉及一种超低损耗大有效面积单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层有两层,最中心的为第一芯层,第一芯层半径R1为1~2.5μm,相对折射率差Δn1为0.04%~0.12%,第一芯层外为第二芯层,第二芯层半径R2为3.5~6.5μm,相对折射率差Δn2为0.08%~0.12%,且Δn1≤Δn2,所述的包层包括有内包层和外包层,所述的内包层为氟掺杂二氧化硅玻璃层,内包层半径R3为25~45μm,相对折射率差Δn3为‑0.32%~‑0.20%,且Δn2‑Δn3≥0.32,所述的外包层半径R4为62.5μm,相对折射率差为Δn4为‑0.18%~‑0.10%,且Δn4‑Δn3≥0。本发明通过优化光纤的芯包层结构,使光纤在具备较大有效面积的同时衰减进一步降低。

    一种超低衰减大有效面积的单模光纤

    公开(公告)号:CN107422415B

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201710451543.9

    申请日:2017-06-15

    Abstract: 本发明一种超低衰减大有效面积的单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于芯层半径01为5.5~7.5μm,相对折射率差△n1为‑0.02~0.10%,芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层,辅助外包层和外包层,内包层半径r2为14~17μm,相对折射率差△n2为‑0.40~‑0.15%,下陷内包层半径r3为15~19μm,相对折射率差△n3为‑0.8~‑0.3%,辅助外包层半径r4为35~52μm,相对折射率差△n4范围为‑0.6~‑0.25%,外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明合理的设计了光纤内部的粘度匹配,降低光纤的衰减参数,使光纤具有等于或大于130μm2的有效面积,光纤剖面采用较深较窄下陷包层结构,不仅使得光纤具有足够小的成缆截止波长,而且具有良好的弯曲性能。

    一种低衰减单模光纤
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105911639B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201610347146.2

    申请日:2016-05-24

    Abstract: 本发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径R1为4.0μm~7.0μm,相对折射率差Δ1为0.15%~0.35%,所述的包层包括下陷内包层和下陷外包层,所述的下陷内包层半径R2为7.0μm~12.0μm,下陷内包层相对折射率差Δ2为‑0.33%~‑0.05%,所述的下陷外包层相对折射率差Δ3为‑0.29%~‑0.05%。本发明在普通阶跃型剖面的基础上减少芯层掺锗量、增加包层掺氟量,在满足单模传输波导所需的芯包折射率差的基础上,将芯层和包层折射率同时下移,这样可以大大降低芯层掺杂剂浓度波动引起的瑞利散射损耗,而且,掺杂剂的改变使芯层粘度增加、包层粘度下降,芯包层粘度匹配得到进一步改善,这样可以减小拉丝过程产生的内应力,从而也可进一步降低衰减。

    一种光纤预制棒的制备方法

    公开(公告)号:CN106396362A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610752652.X

    申请日:2016-08-29

    CPC classification number: C03B37/01815 C03B2207/36 C03B2207/81

    Abstract: 本发明公开了一种光纤预制棒的制备方法,通过气相轴向沉积工艺制备光纤预制棒,包括用芯层喷灯沉积芯层,用包层喷灯沉积包层,所述的芯层喷灯与芯层原料气体输送管路相接,所述的包层喷灯与包层原料气体输送管路相接,芯层原料气体输送管路并接一氧气输送管路,且所述该氧气输送管路中串接一玻璃管,玻璃管内放置有碱金属原料;所述玻璃管外周设置有加热器;沉积芯层时,开启加热器和氧气输送管路,氧气携带经加热挥发出的碱金属原料进入芯层原料气体输送管路,通过芯层喷灯沉积成掺碱光纤预制棒芯层。本发明中碱金属掺杂是在芯层沉积的过程中进行,碱金属含量分布均匀,能克服玻璃管内扩散法碱金属分布不均匀的问题,明显降低光纤衰减。

    一种光纤预制棒的制备方法

    公开(公告)号:CN106007359A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610580287.9

    申请日:2016-07-22

    CPC classification number: C03B37/01807

    Abstract: 本发明公开了一种光纤预制棒的制备方法,通过管内气相沉积工艺制备光纤预制棒的芯层和部分包层,其特征在于在玻璃衬管的进气端串接一大直径玻璃管,碱金属原料置于在该大直径玻璃管内;所述大直径玻璃管外周设置有加热器;沉积包层时,关闭加热器,包层原料气体进入玻璃衬管内并沉积形成包层;沉积芯层时,开启加热器,芯层原料气体携带由于加热所挥发出来的碱金属原料一起进入玻璃衬管内并沉积形成芯层。本发明中碱金属掺杂是在芯棒沉积的过程中进行的,碱金属含量分布更均匀,可以克服玻璃管内扩散法碱金属分布不均匀的问题,可以明显降低光纤衰减。

    一种低衰减大有效面积的单模光纤

    公开(公告)号:CN104777551A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510209916.2

    申请日:2015-04-28

    CPC classification number: G02B6/02019 G02B6/03661

    Abstract: 本发明涉及一种具有低衰减大有效面积的单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为4.8~6.5μm,芯层相对折射率Δ1为0.10%~0.24%,芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层,过渡外包层和外包层,所述的光纤的内包层半径r2为8.5~15μm,相对折射率Δ2为-0.3%~-0.05%,所述的下陷内包层半径r3为14~22μm,相对折射率Δ3为-0.45%~-0.2%,所述的过渡外包层半径r4为35~50μm,相对折射率Δ4范围为-0.25%~-0.05%;所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明降低了光纤的衰减参数;并通过对光纤各纤芯层剖面的合理设计,使光纤具有等于或大于100μm2的有效面积,本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好,光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构,对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用。

    一种低损耗抗弯曲单模光纤

    公开(公告)号:CN114325928A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111662461.1

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种低损耗抗弯曲单模光纤,包括芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径R1为3~5μm,相对折射率差Δn1为‑0.1%~0.15%,所述的包层由内向外依次分为内包层和外包层,所述的内包层半径R2为20~35μm,相对折射率差Δn2为‑0.42%~‑0.2%,所述的外包层半径R为62.5μm,相对折射率差Δn3=‑0.37%~‑0.15%。本发明设置合理的芯层波导结构和掺杂,降低芯层的浓度因子和瑞利散射系数,使得光纤的衰减更低。本发明芯包层剖面和掺杂设置合理,进一步改善了光纤的粘度匹配,使光纤既能满足低衰减的要求,又能抗弯,并与常规G.652.D光纤兼容,本发明能采用高速拉丝,提高生产效率,从而降低光纤制造的成本。

Patent Agency Ranking