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公开(公告)号:CN113728217B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202080030706.6
申请日:2020-04-24
Inventor: 小玉博志 , 吉田直树 , 宫下香织 , 武田英嗣 , 山田信明 , 友松义浩 , 柳泽泰史 , 绿川祐介 , 釜鸣志朗 , 横山贤一 , 豊田稻男 , 竹内久幸 , 新美直久 , 高桥雅和 , 浦靖武 , 浅野刚次 , 蒲田幸广
IPC: G01L9/06
Abstract: 压力传感器具备:芯柱(10),形成有供压力介质被导入的压力导入孔,并且形成有能够根据压力介质的压力而变形的隔膜(13);应变检测元件(30),隔着绝缘膜(20)被配置在隔膜(13)上,输出与隔膜(13)的变形相应的检测信号。应变检测元件(30)构成为具有由多晶硅构成的部分。而且,在绝缘膜(20)与应变检测元件(30)之间配置有低掺杂层(23),低掺杂层(23)的电阻率比多晶硅高,并且结晶性比绝缘膜提高。
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公开(公告)号:CN113728217A
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN202080030706.6
申请日:2020-04-24
Inventor: 小玉博志 , 吉田直树 , 宫下香织 , 武田英嗣 , 山田信明 , 友松义浩 , 柳泽泰史 , 绿川祐介 , 釜鸣志朗 , 横山贤一 , 豊田稻男 , 竹内久幸 , 新美直久 , 高桥雅和 , 浦靖武 , 浅野刚次 , 蒲田幸广
IPC: G01L9/06
Abstract: 压力传感器具备:芯柱(10),形成有供压力介质被导入的压力导入孔,并且形成有能够根据压力介质的压力而变形的隔膜(13);应变检测元件(30),隔着绝缘膜(20)被配置在隔膜(13)上,输出与隔膜(13)的变形相应的检测信号。应变检测元件(30)构成为具有由多晶硅构成的部分。而且,在绝缘膜(20)与应变检测元件(30)之间配置有低掺杂层(23),低掺杂层(23)的电阻率比多晶硅高,并且结晶性比绝缘膜提高。
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