-
公开(公告)号：CN101982486A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010295732.X
申请日：2006-10-06
Applicant: 长濑化成株式会社 , H.C.世泰科有限公司
CPC classification number: C08J3/05 , C08G2261/3223 , C08G2261/794 , C08J2365/00 , C08L25/18 , C08L65/00 , C09D125/18 , H01B1/127 , H01G11/48 , H01G11/56 , H01L51/0037 , Y02E60/13 , C08L2666/02
Abstract: 本发明提供能够形成透明性和导电性优异的导电性薄膜的、含有导电性聚合物成分的水分散体的制造方法，和由该方法得到的水分散体。上述方法包括如下工序：在聚阴离子的存在下，使用氧化剂，使3，4-二烷氧基噻吩在水系溶剂中聚合，在该聚合工序中，反应液中的碱金属离子浓度保持在400ppm以下。
-
公开(公告)号：CN101309949A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042824.9
申请日：2006-10-06
Applicant: 长濑化成株式会社 , H.C.世泰科有限公司
CPC classification number: C08J3/05 , C08G2261/3223 , C08G2261/794 , C08J2365/00 , C08L25/18 , C08L65/00 , C09D125/18 , H01B1/127 , H01G11/48 , H01G11/56 , H01L51/0037 , Y02E60/13 , C08L2666/02
Abstract: 本发明提供能够形成透明性和导电性优异的导电性薄膜的、含有导电性聚合物成分的水分散体的制造方法，和由该方法得到的水分散体。上述方法包括如下工序：在聚阴离子的存在下，使用氧化剂，使3，4－二烷氧基噻吩在水系溶剂中聚合，在该工序中，上述氧化剂通过在反应液中滴加含有该氧化剂的溶液或分散液而添加，或者在该聚合工序中，反应液中的碱金属离子浓度保持在400ppm以下。
-
公开(公告)号：CN101309949B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200680042824.9
申请日：2006-10-06
Applicant: 长濑化成株式会社 , 贺利氏贵金属有限两合公司
CPC classification number: C08J3/05 , C08G2261/3223 , C08G2261/794 , C08J2365/00 , C08L25/18 , C08L65/00 , C09D125/18 , H01B1/127 , H01G11/48 , H01G11/56 , H01L51/0037 , Y02E60/13 , C08L2666/02
Abstract: 本发明提供能够形成透明性和导电性优异的导电性薄膜的、含有导电性聚合物成分的水分散体的制造方法，和由该方法得到的水分散体。上述方法包括如下工序：在聚阴离子的存在下，使用氧化剂，使3，4-二烷氧基噻吩在水系溶剂中聚合，在该工序中，上述氧化剂通过在反应液中滴加含有该氧化剂的溶液或分散液而添加，或者在该聚合工序中，反应液中的碱金属离子浓度保持在400ppm以下。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.025 seconds)
