公开(公告)号：CN103205813A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310081614.2

申请日：2013-03-14

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 曾繁明 ,  李春 ,  林海 ,  刘景和 ,  谷亮 ,  郑东阳 ,  苗东伟 ,  李秦霖 ,  杨晓东 ,  梁璇 ,  方旭光

IPC: C30B29/28 ,  C30B15/00

Abstract: 掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有掺铒釔铝石榴石晶体Er3+、Y3+离子半径匹配不好，会使晶体容易开裂，铒掺入量受限，激光晶体荧光强度峰值不高；其生长周期较长，在晶体中存在更多的色心缺陷，生长温度较高，铱金坩埚本身有挥发，降低晶体质量。本发明之掺铒镱镓石榴石晶体的晶体基质属于立方晶系，铒为激活元素，晶体基质为镱镓石榴石，晶体分子式为Er:Yb3Ga5O12；其生长方法包括生长料制备、晶体生长和退火三个步骤，制备生长料的原料有Er2O3；采用提拉法生长晶体；其特征在于，制备生长料的原料还有Yb2O3、Ga2O3；晶体生长的工艺参数确定为：提拉速度0.5～0.8mm/h，旋转速度12～20rpm，生长温度1740～1760℃，所生长的晶体为掺铒镱镓石榴石晶体。

公开(公告)号：CN104628375A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410197696.1

申请日：2014-05-12

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 曾繁明 ,  杨晓东 ,  李春 ,  林海 ,  刘景和

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622

Abstract: 一种掺稀土离子钇铝石榴石激光陶瓷的分层成型方法，属于激光材料技术领域。本发明的目的是通过将不同浓度的掺镱钇铝石榴石激光陶瓷粉原料分次逐步压型而制成的掺稀土离子钇铝石榴石激光陶瓷的分层成型方法。本发明第一层的Yb离子掺杂梯度为0.4at.%，第二层的Yb离子掺杂梯度为1.6at.%，第三层的Yb离子掺杂梯度为3.6at.%，第四层的Yb离子掺杂梯度为6.4at.%，第五层的Yb离子掺杂梯度为10at.%，每层在100Mpa压强下压制，并静置10分钟。本发明的优点是：在纵向上产生浓度梯度，提高陶瓷光学特性，满足特殊条件下的应用；分层成型，优化陶瓷结构，使压制更紧密，结构更合理；使激光陶瓷内部温度分布更均匀，避免激光陶瓷由于热效应产生形变；增强激光陶瓷光学特性，提高固体激光器激光输出效率，优化输出光束质量。