公开(公告)号：CN102980667A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210464004.6

申请日：2012-11-16

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 刘敏时 ,  王晓曼 ,  王斌

IPC: G01J9/00 ,  G01J1/00

Abstract: 基于ENZ理论的激光光束检测装置及方法属于激光技术领域。现有技术操作步骤繁琐、检测精度低、分辨率难以提高、信噪比低、成本高。本发明之装置CCD探测器与数据处理计算机相连，成像透镜位于CCD探测器前方，CCD探测器感光面与成像透镜焦平面c平行；CCD探测器固定在滑块上，滑块与导轨构成导轨滑块机构。本发明之方法取成像透镜焦平面c处及对称的前、后离焦面a、b处的被检激光光束光斑强度图像，采用ENZ多项式构造波前拟合系数求取方程组，求解该方程组得到拟合光瞳平面激光光束波前的复数波前拟合系数值，通过迭代算法，去除高阶误差，得到精确的波前拟合系数值，从而得到光瞳平面激光光束的相位和振幅，拟合波前；再根据相位信息、强度信息，通过矩法计算特征值。

公开(公告)号：CN102586870A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210057151.1

申请日：2012-03-06

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 曾繁明 ,  李春 ,  张学建 ,  刘景和 ,  谷亮 ,  林海 ,  张山丽 ,  苗东伟 ,  刘敏时

IPC: C30B29/12 ,  C30B15/00

Abstract: 掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有Ho:BaY2F8晶体掺杂浓度低，尺寸小、晶体形貌差。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体属于单斜晶系，以稀土元素钬为激活离子，晶体基质为氟化钆钇钡，掺钬氟化钆钇钡晶体分子式为Ho:BaYGdF8。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体生长方法包括生长料制备、晶体生长以及退火三个步骤。在生长料制备步骤中，提供F、Gd、Y、Ba元素的原料及摩尔比为BaF2∶GdF3∶YF3＝1∶1∶1，确定HoF3为x摩尔，GdF3为(1-x)摩尔，BaF2为1摩尔，其中x的取值范围为0.005mol≤x≤1mol；在晶体生长步骤中，晶体生长工艺参数确定为：提拉速度0.3～0.8mm/h，旋转速度3～10rpm，生长温度880～903℃。