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公开(公告)号：CN116540156B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310468940.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种基于层合磁电结构的可调灵敏度磁场强度传感器及调节方法，其中，结构包括安装在U型铁轭中间的圆形层合磁电结构，层合磁电结构层间安装薄膜电极，电极引出线路依次首尾相连构成串联电路，正负极外端预留电压测试接口；U型铁轭端部与磁电结构连接处设置碟簧，底部缠绕直流螺线管，流螺线管外接稳压直流电源。通过测量过程中螺线管电流的变化来调控磁电结构磁性相磁致伸缩材料偏置条件，实现传感器测量灵敏度的实时调控。本发明解决了在磁场强度测量过程中，磁场传感器基于霍尔效应以预设灵敏度进行测量，测量灵敏度的实时调控较难实现的问题。
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公开(公告)号：CN116540156A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310468940.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种基于层合磁电结构的可调灵敏度磁场强度传感器及调节方法，其中，结构包括安装在U型铁轭中间的圆形层合磁电结构，层合磁电结构层间安装薄膜电极，电极引出线路依次首尾相连构成串联电路，正负极外端预留电压测试接口；U型铁轭端部与磁电结构连接处设置碟簧，底部缠绕直流螺线管，流螺线管外接稳压直流电源。通过测量过程中螺线管电流的变化来调控磁电结构磁性相磁致伸缩材料偏置条件，实现传感器测量灵敏度的实时调控。本发明解决了在磁场强度测量过程中，磁场传感器基于霍尔效应以预设灵敏度进行测量，测量灵敏度的实时调控较难实现的问题。
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