一种钽基扩散键合复合膜层及其制备方法

    公开(公告)号:CN116695199A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310691025.X

    申请日:2023-06-12

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种钽基扩散键合膜层及其制备方法,属于钽金属镀层领域。本发明的制备方法,通过钽金属电沉积前处理工艺、电解液成分调控和电沉积后扩散热处理工艺,获得扩散键合的膜层、基体、固溶体、金属间化合物交替分布的复合结构,该复合结构具有结合力良好、无内应力或低内应力、性能优异等特点。本发明克服了热扩散过程中因Kirkendall效应Cu/Ni/Ta结构中原子间进行不平衡热扩散而产生大量空位缺陷,造成膜层界面缺陷和性能降低的缺点。

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