公开(公告)号：CN206210802U

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201620670488.3

申请日：2016-06-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 杨小艳 ,  李佳 ,  葛明 ,  张林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅静电感应器件，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极。

公开(公告)号：CN206210803U

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201620668441.3

申请日：2016-06-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 李佳 ,  杨小艳 ,  葛明 ,  张林

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/47

Abstract: 本实用新型公开了一种碳化硅静电感应晶闸管，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层的上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部均接触，所述N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。