公开(公告)号：CN104911693B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201510377818.X

申请日：2015-06-27

Applicant: 长安大学

Inventor： 徐义库 ,  王丹丹 ,  肖君霞 ,  杨蕾 ,  于金丽 ,  郝建民

IPC: C30B13/00 ,  C30B29/10

Abstract: 本发明公开了一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法，该方法为：一、制备EuPd共晶合金；二、按质量比Eu:Pd:Si＝(33.3+X):(16.7‑X):50称取钯粒、硅块和EuPd共晶合金，制备PdSi二元合金；三、将EuPd共晶合金和PdSi二元合金置于感应加热器中熔化均匀，得到熔体，然后将熔体铸成棒材；四、切割棒材得到籽晶棒和给料棒；五、将给料棒安装于晶体生长室内的上轴上，将籽晶棒安装于下轴上，通入高纯氩气，采用光悬浮区熔法生长晶体，待晶体生长结束并冷却后将晶体取出；六、线切割后得到稀土硅化物单晶晶体。本发明可制备得到获得少沉淀、无明显位错与孪晶、质量高的稀土硅化物单晶晶体。

公开(公告)号：CN104911693A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510377818.X

申请日：2015-06-27

Applicant: 长安大学

Inventor： 徐义库 ,  王丹丹 ,  肖君霞 ,  杨蕾 ,  于金丽 ,  郝建民

IPC: C30B13/00 ,  C30B29/10

Abstract: 本发明公开了一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法，该方法为：一、制备EuPd共晶合金；二、按质量比Eu:Pd:Si＝(33.3+X):(16.7-X):50称取钯粒、硅块和EuPd共晶合金，制备PdSi二元合金；三、将EuPd共晶合金和PdSi二元合金置于感应加热器中熔化均匀，得到熔体，然后将熔体铸成棒材；四、切割棒材得到籽晶棒和给料棒；五、将给料棒安装于晶体生长室内的上轴上，将籽晶棒安装于下轴上，通入高纯氩气，采用光悬浮区熔法生长晶体，待晶体生长结束并冷却后将晶体取出；六、线切割后得到稀土硅化物单晶晶体。本发明可制备得到获得少沉淀、无明显位错与孪晶、质量高的稀土硅化物单晶晶体。