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发明公开
一种基于MOSFET控制的电源路径管理电路审中-实审

公开(公告)号：CN118783612A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410776866.5

申请日：2024-06-17

Applicant: 重庆邮电大学工业互联网研究院

Inventor： 黄学达 , 蔡新阳 , 陈俊华 , 裴飞超 , 王铃 , 姜海棠

IPC: H02J9/06

Abstract: 本发明属于电源切换电路技术领域，具体涉及一种基于MOSFET控制的电源路径管理电路；该方法包括：第一电容一端和第一二极管正极连接电源电压，另一端接地，第一二极管负极分别连接第二二极管正极、第二电容一端、第三二极管正极、第一PMOS管栅极、第二PMOS管栅极和电阻一端，电阻另一端接地；第二二极管负极、第二电容另一端、第三二极管负极和第一PMOS管源极连接第二PMOS管源极；第一PMOS管漏极和第二PMOS管漏极和第三电容一端连接电池电压，第三电容另一端接地；本发明效提升了系统的可靠性，同时在保证电源稳定供应的同时减少了能源浪费，提高了整个系统的能效比。

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