LTE网络S1接口控制面CDR合成方法及合成装置

    公开(公告)号:CN102647734B

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201210102771.2

    申请日:2012-04-10

    Abstract: 本发明请求保护一种LTE网络S1接口控制面CDR合成技术,涉及LTE通信网络信令监测技术领域。本发明结合3GPP标准规范,采集S1-MME接口的信令数据,解析出合成所需要的参数,采用超时管理机制对超时的CDR进行处理,确保合成的准确性,通过缓存器提高对数据操作的速度,以实现对S1接口CDR快速、有效的合成,进而达到S1-MME接口实时监测的目的,从而为LTE网络的建设和维护提供技术支撑。

    LTE网络S1接口控制面CDR合成方法及合成装置

    公开(公告)号:CN102647734A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210102771.2

    申请日:2012-04-10

    Abstract: 本发明请求保护一种LTE网络S1接口控制面CDR合成技术,涉及LTE通信网络信令监测技术领域。本发明结合3GPP标准规范,采集S1-MME接口的信令数据,解析出合成所需要的参数,采用超时管理机制对超时的CDR进行处理,确保合成的准确性,通过缓存器提高对数据操作的速度,以实现对S1接口CDR快速、有效的合成,进而达到S1-MME接口实时监测的目的,从而为LTE网络的建设和维护提供技术支撑。

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