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公开(公告)号：CN120074487A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510141919.0
申请日：2025-02-09
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03K17/687 , H03M3/00
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，尤其涉及一种栅压自举开关及其应用，开关包括第一MOS管～第八MOS管，第十MOS管～第十二MOS管、方向器、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻；与现有技术相比，本发明减小传统栅压自举开关的面积，提高传统栅压自举开关的线性度，降低谐波失真；另外将本发明的栅压自举开关应用于MASH2+2结构的Sigma Delta调制器，可以实现19位的有效位数。
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公开(公告)号：CN119966413A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510056726.5
申请日：2025-01-14
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种分步多位量化的8位ADC电路；包括：SIG—DAC电容阵列接收差分输入信号VIP和VIN，连接第一个使能信号模块和5个比较器，用于主信号的逐次逼近；REF‑DAC电容阵列接收差分输入信号VREFP和VREFN，连接第二个使能信号模块和5个比较器，用于产生阈值电压；异步时钟模块连接第二个使能信号模块、锁存器阵列和5个比较器；锁存器阵列由17个锁存器电路组成，还连接第一个使能信号模块、5个比较器以及串联的2个译码器模块；本发明增加了ADC的整体性能的同时不增加额外的时钟相位，增加了ADC对比较误差的容忍度，需要的总时钟数量更少，异步时钟模块更简单。
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公开(公告)号：CN116127893A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211574301.6
申请日：2022-12-08
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G06F30/367 , G06F115/06
Abstract: 本发明请求保护一种基于两步式搜索的增量式sigma delta ADC参数优化方法，包括反馈通路、量化器、第一级、第二级积分器、第一、第二、第三前馈通路、待定系数b、待定系数c。反馈通路连接于待定系数b之前的求和节点和量化器的输出端之间，将量化器输出的输出信号进行处理得到反馈信号；第一前馈通路连接于调制器的输出端和量化器的输入端之间，第二前馈通路连接于第一级积分器的输出端和量化器的输入端之间，第三前馈通路连接于第二级积分器的输出端和量化器的输入端之间，前馈通路在量化之前对输入信号与第一级、第二级积分器的输出信号进行加权求和；待定系数b和待定系数c分别连接在第一级、第二级积分器之前，通过算法进行确定；本发明更加准确、快速。
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公开(公告)号：CN115913201A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211428170.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K17/687 , H03M1/06 , H03M1/12
Abstract: 本发明请求保护一种基于三路径的高线性度栅压自举开关，属于模拟集成电路设计技术领域。为了防止PMOS管源极—衬底正向偏置，将其衬底端和源极相连，但是会增加N阱寄生电容Cnwell对电路采样造成影响。利用第一电容C1与PMOS管M10和第二电容C2和PMOS管M11分别组合成两条主路径，第三电容C3和PMOS管M12组合成辅助路径。PMOS管M10的衬底和PMOS管M7的衬底以及PMOS管M11的衬底和PMOS管M6的衬底都与PMOS管M12的衬底相连，输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端的时候不仅可以加快栅端电压的建立，还能省去Cnwell加载这一环节，而用剩下的辅助路径去驱动Cnwell，从而提高电路整体信号的线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116208147A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211573290.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明请求保护一种高无杂散动态范围的分段式R‑2R倒梯形电阻网络，该电路通过将R‑2R倒梯形电阻网络进行分段处理，并对高位段电阻网络进行无交叠旋转选择处理来提高电路的无杂散动态范围(Spurious‑free Dynamic Range，SFDR)。电路主要包括：温度计译码器，用于将高4位二进制码转码为15级温度计码；累加器，用于对高4位二进制码进行累加，产生对数移位器所需要的移位控制信号(也叫指针)；对数移位器，用于根据累加器输入的移位控制信号和输入的温度计码进行移位操作；电平保持电路，用来补偿数移位器进行移位操作时所损失的电平；锁存器，用于将低12位和高4位的信号进行时域对齐；分段式R‑2R倒梯形电阻网络，用于接收锁存器的数字信号，然后对数字信号进行解码。
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公开(公告)号：CN116054829A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310071187.3
申请日：2023-01-17
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明请求保护一种用于Pipeline ADC的数字后台校准系统，包括降频器、待校准ADC、低速高精度ADC、LMS自适应滤波器和减法器；能解决流水线ADC因级间增益误差导致系统精度下降的问题。在原有的算法模型中引入反双曲正切函数，构建步长和误差信号之间的非线性函数关系式，共同约束步长取值，使得当前的步长值跟当前误差与前一次误差比值的平方相关，提高算法的收敛速度。同时结合步长归一化处理，增大步长的选择范围，稳定程度更高。用低速高精度ADC为基准，与待校准ADC并联，并将两者的数字输出的差值送到LMS自适应自适应滤波器中进行处理，使得待校准ADC的输出不断逼近低速高精度ADC输出，且原ADC的转换过程不受影响，达到数字校准的目的。
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公开(公告)号：CN115913201B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211428170.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K17/687 , H03M1/06 , H03M1/12
Abstract: 本发明请求保护一种基于三路径的高线性度栅压自举开关，属于模拟集成电路设计技术领域。为了防止PMOS管源极—衬底正向偏置，将其衬底端和源极相连，但是会增加N阱寄生电容Cnwell对电路采样造成影响。利用第一电容C1与PMOS管M10和第二电容C2和PMOS管M11分别组合成两条主路径，第三电容C3和PMOS管M12组合成辅助路径。PMOS管M10的衬底和PMOS管M7的衬底以及PMOS管M11的衬底和PMOS管M6的衬底都与PMOS管M12的衬底相连，输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端的时候不仅可以加快栅端电压的建立，还能省去Cnwell加载这一环节，而用剩下的辅助路径去驱动Cnwell，从而提高电路整体信号的线性度。
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公开(公告)号：CN116208149A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211582720.4
申请日：2022-12-08
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明请求保护一种基于反三角函数的时钟偏差数字校准系统及方法，解决了时域交织型模数转换器由于时钟偏差的存在降低ADC性能的问题。其中，所述方法通过将四个通道的数字输出码提取出来，根据通道的工作顺序，将其取反三角函数，利用反三角函数的值求得相应的时间值，求得的时间值与我们所制定的标准的时间值存在一个差值，得到的差值即为我们所求得的时钟偏差，利用电压与微分的关系，将由于时钟偏差产生的误差电压去除，以达到消除时钟偏差对于ADC的动态性能的影响。该校准方法无需额外参考通道，对于输入信号无特定要求，一个校准周期就能将多个通道同时校准完成，控制逻辑简单，可以达到以较小的代价快速校准时钟偏差的目的。
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公开(公告)号：CN116470741A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310298155.7
申请日：2023-03-24
Applicant: 重庆邮电大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H02M1/32 , H02M1/00 , G01R19/165
Abstract: 本发明请求保护一种基于谷值电流检测的过流保护电路，属于DC‑DC过流保护电路技术。所述过流保护电路包括谷值电流检测电路、逻辑控制电路、降压核心电路。其中谷值电流检测电路用于检测流过降压核心电路中电感后半周期的电流，来产生一个谷值电压V1。逻辑控制电路接收来自谷值电流检测电路的输出信号V1以及一个参考信号VREF，来产生一个过流保护信号OCP去控制降压核心电路中的功率管的状态，来改变开关管的状态，防止电流过大对器件造成损害，实现过流保护。
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