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公开(公告)号:CN117978149A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410120574.6
申请日:2024-01-29
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种LDO电路;该电路包括:NMOS管M1、运算放大器、PMOS管M19、NMOS管M20、NMOS管M21、电阻R1、瞬态抑制电路、源随缓冲器、功率管、负反馈电阻网络和NMOS管M34;本发明LDO在传统结构的基础上增加了瞬态抑制电路,可以增加输出电压的稳定性,提高电路的CMTI,保证了电路的正常工作,正确输出信号。
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公开(公告)号:CN117978098A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410134810.X
申请日:2024-01-30
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03F1/02 , H03F1/30 , H03F1/42 , H03K19/0175 , H03K7/08
Abstract: 本发明属于开关电源电路领域,具体涉及一种应用于开关电源的隔离误差放大器,包括:误差信号放大器、平均电压反馈电路、PWM波生成电路、数字隔离器模块以及电压电流输出模块:误差信号放大器的输出端连接平均电压反馈电路一个输入端;PWM波生成电路的输出端分别连接数字隔离器模块的输入端和平均电压反馈电路的另一输入端;PWM波生成电路的输入端连接平均电压反馈电路的输出端;数字隔离器模块的输出端连接电压电流输出模块。本发明可解决传统线性光耦面临的老化、温度漂移和磁性耦合电路复杂难以集成等问题,改善隔离电源的瞬态响应、功率密度和工作温度范围。
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