公开(公告)号：CN114281251A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111506480.5

申请日：2021-12-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 龙林波 ,  黄金鹏 ,  蒋溢 ,  彭崎翔 ,  郑健聪

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明涉及一种面向3D TLC闪存存储器的数据分配与重编程优化方法，属于闪存性能技术领域。包括以下步骤：S1：借助闪存控制器缓冲区，缓存临时访问的请求数据，并根据请求数据的访问特征，将数据划分为冷热读写数据；S2：根据热写数据的热度，对热写数据进行分类，建立多级热度链表；S3：根据请求数据的类别与热度，将两个热度最高的热写数据与一个热读数据进行组合，分别存放于一个word line的CSB、LSB、MSB页面；S4：根据3D闪存重编程的限制层数，设计基于限制层数的重编程方法。本发明提出了相应的数据分配算法与重编程，实现闪存控制器层，提高闪存存储器的读写性。

公开(公告)号：CN114281251B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202111506480.5

申请日：2021-12-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 龙林波 ,  黄金鹏 ,  蒋溢 ,  彭崎翔 ,  郑健聪

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明涉及一种面向3D TLC闪存存储器的数据分配与重编程优化方法，属于闪存性能技术领域。包括以下步骤：S1：借助闪存控制器缓冲区，缓存临时访问的请求数据，并根据请求数据的访问特征，将数据划分为冷热读写数据；S2：根据热写数据的热度，对热写数据进行分类，建立多级热度链表；S3：根据请求数据的类别与热度，将两个热度最高的热写数据与一个热读数据进行组合，分别存放于一个word line的CSB、LSB、MSB页面；S4：根据3D闪存重编程的限制层数，设计基于限制层数的重编程方法。本发明提出了相应的数据分配算法与重编程，实现闪存控制器层，提高闪存存储器的读写性。