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公开(公告)号：CN119828840A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510066598.2
申请日：2025-01-16
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种高阶曲率补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路及启动电路。采用PMOS管M4电流在电阻R3～R4上产生的电压以及PMOS管M6电流在电阻R4上产生的电压均具有正温度系数、PMOS管M5电流在电阻R3～R4上产生的电压以及PMOS管M7电流在电阻R4上产生的电压均具有负温度系数等技术实现一阶带隙基准电压，利用NMOS管M12栅极电压随着温度升高而增大来控制NMOS管M13工作并使其工作区随着温度增加而逐渐从深三极管区、三极管区过度到饱和区的技术，使得PMOS管M14电流为温度高阶非线性，并对一阶带隙基准电压进行温度补偿，从而获得高阶温度补偿的带隙基电压。
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