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公开(公告)号：CN113935214A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111187193.2
申请日：2021-10-12
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种建立HMX含能材料缺陷模型的方法，属于三维时域有限差分分析领域，包括以下步骤：S1：根据显微镜下的缺陷形貌，简化HMX含能材料的缺陷；S2：建立缺陷的三维数学模型；S3：将缺陷模型导入到三维时域有限差分分析系统中，获得缺陷模拟数据；S4：对缺陷模拟数据进行分析处理，获得HMX含能材料的缺陷模型。本发明能够构建出HMX含能材料中的二维或三维缺陷模型，并绘制出缺陷的图像。能够用于分析缺陷模型的建立是否正确，大大减少了在数值计算中不必要的计算资源和时间成本的浪费。
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