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公开(公告)号：CN109298438A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811165515.1
申请日：2018-09-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本申请提供一种半导体探测器及半导体探测器制备方法，涉及探测器技术领域。该半导体探测器包括：半导体晶体、阴极和阳极；半导体晶体包括相对设置于半导体晶体两侧的第一面和第二面；阴极设于半导体晶体的第一面；阳极设于半导体晶体的第二面；阳极包括：收集电极和权重栅电极，权重栅电极围绕收集电极布设；其中，收集电极和/或权重栅电极为三维复合结构电极。使用该半导体探测器能够大幅度提升半导体晶体内部载流子的收集效率。
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公开(公告)号：CN109298438B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811165515.1
申请日：2018-09-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本申请提供一种半导体探测器及半导体探测器制备方法，涉及探测器技术领域。该半导体探测器包括：半导体晶体、阴极和阳极；半导体晶体包括相对设置于半导体晶体两侧的第一面和第二面；阴极设于半导体晶体的第一面；阳极设于半导体晶体的第二面；阳极包括：收集电极和权重栅电极，权重栅电极围绕收集电极布设；其中，收集电极和/或权重栅电极为三维复合结构电极。使用该半导体探测器能够大幅度提升半导体晶体内部载流子的收集效率。
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公开(公告)号：CN110060316A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910356591.9
申请日：2019-04-29
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于CT重建中多区域分割的环伪影校正方法，属于图像处理技术领域。该方法包括以下步骤：S1：环伪影区划分；S2：创建直角坐标系；S3：针对不同区域设计识别滤波器；S4：滤波并将信息存储至两个矩阵；S5：伪影信息处理、校正和补充。本发明由于无需进行两次坐标变换，图像边缘不会出现严重的失真现象。同时通过将图像分成多区域进行校正，可大大缩短校正时间，且计算量相对于直接校正投影正弦图更小、方法流程较现有方法更加简便。在校正过程中加入了伪影及图像边缘识别区分的算法，很好的避免了非伪影被误认为伪影。由于该方法通过对像素值进行逐一校正，其校正相对于已有的滤波校正更为彻底。
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公开(公告)号：CN110060316B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN201910356591.9
申请日：2019-04-29
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于CT重建中多区域分割的环伪影校正方法，属于图像处理技术领域。该方法包括以下步骤：S1：环伪影区划分；S2：创建直角坐标系；S3：针对不同区域设计识别滤波器；S4：滤波并将信息存储至两个矩阵；S5：伪影信息处理、校正和补充。本发明由于无需进行两次坐标变换，图像边缘不会出现严重的失真现象。同时通过将图像分成多区域进行校正，可大大缩短校正时间，且计算量相对于直接校正投影正弦图更小、方法流程较现有方法更加简便。在校正过程中加入了伪影及图像边缘识别区分的算法，很好的避免了非伪影被误认为伪影。由于该方法通过对像素值进行逐一校正，其校正相对于已有的滤波校正更为彻底。
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