-
公开(公告)号：CN118016728A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410157818.8
申请日：2024-02-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓基混合PIN‑肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该二极管器件包括：作为该二极管器件衬底的N‑buffer区；形成于N‑buffer区下表面的金属阴极区；形成于N‑buffer上表面的N‑drift区；形成于N‑drift区上表面的P+接触区；形成于P+接触区中的第二阳极区，其中第二阳极区作为该二极管器件的肖特基接触阳极；以及形成于P+接触区和第二阳极区上表面的第一阳极区，其中第一阳极区作为该二极管器件的欧姆接触阳极。本发明采用氧化工艺制备P型NiO层，相比于现有技术，本发明能够避免造成器件导通电阻变大，并使器件具有低导通电阻、低泄漏电流以及高阻断电压的特性。
Search Results
1
records
(took 0.009 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
