公开(公告)号：CN118655951A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410581183.4

申请日：2024-05-11

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 李红娟 ,  张瀚文 ,  周前能 ,  孟航

IPC: G05F1/573

Abstract: 本发明请求保护一种带限流保护电路的低压差线性调整器，包括低压差线性调整器核心电路以及限流保护电路。本发明利用增益级A2与A3构成小输出阻抗推挽结构使功率PMOS管栅极处极点位于高频，利用增益级A2与A3构成多路径技术并与频率补偿网络共同确保系统稳定，利用两MOS管串联构成组合管技术提高镜像精度；通过PMOS管M7工作状态来调整NMOS管M10和M11电流技术及PMOS管M16采样PMOS管MP电流技术等技术来调控NMOS管M17栅极电位，进而调控电路输出电流以及输出电压使得电路输出到达最大允许输出电流后进入恒定过流和折返过流等保护区，防止电路烧毁，从而实现一种带限流保护电路的低压差线性调整器。

公开(公告)号：CN117873268A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410020724.6

申请日：2024-01-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  孟航 ,  李红娟 ,  李杰

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明请求保护一种基于BCD工艺的高阶温度补偿的带隙基准电路，包括偏置电路、温度补偿电路及一阶带隙基准电路。本发明采用两个NPN三极管的基极发射极电压之差以及NPN三极管Q3的基极发射极电压分别在电阻R1及电阻R2上产生正负温度系数电流并给温度补偿电路提供偏置，采用NPN三极管Q7与NPN三极管Q8的基极发射极电压以及放大器A1的箝位技术产生一阶带隙基准电压，采用线性环技术以及NPN三极管Q4与NPN三极管Q5的基极‑发射极箝位技术产生一个高阶温度非线性电流来补偿一阶带隙基准电压的温度高阶非线性，提高带隙基准电压的温漂性能，从而实现一种基于BCD工艺的高阶温度补偿的带隙基准电路。