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发明公开
大功率LED芯片倒焊装方法无效

公开(公告)号：CN1971952A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610095206.2

申请日：2006-11-15

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 唐政维 , 李秋俊 , 关鸣 , 蔡雪梅 , 何小凡

IPC: H01L33/00 , H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16

Abstract: 本发明请求保护一种大功率LED芯片倒装焊方法，涉及微电子技术领域，本发明所采用的技术方案是在LED芯片上淀积TiNiAg层，在LED芯片电极上淀积金属铟，在硅基板上淀积TiNiAg层，对应于LED芯片电极位置的硅基电板上淀积铟，并在其上制作金球，然后将经上述加工的LED芯片与硅基板倒装焊接在一起，从而形成铟－金－铟焊装结构，以铟作为热膨胀缓冲，使LED芯片装焊的热膨胀失配率大大下降，热匹配性好，热阻小，热量散发快，从而大大提高了大功率LED的寿命。

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