公开(公告)号：CN117848066A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311647267.5

申请日：2023-12-04

Applicant: 重庆川仪自动化股份有限公司 ,  上海核工程研究设计院股份有限公司

Inventor： 喻立川 ,  戚佳杰 ,  吴雪琼 ,  王伟 ,  陈道伦 ,  王胜光 ,  奚玮君 ,  陈延辉

IPC: F27D7/06 ,  F27D19/00

Abstract: 本申请提供一种传感器膜座组件的烧结工艺，涉及烧结技术领域，该传感器膜座组件的烧结工艺通过将膜座组件进行装配后放入烧结炉中，将烧结炉的炉内温度从常温升温至第一温度，并以第一温度对膜座组件保温第一时间，将炉内温度从第一温度升温至第二温度，向烧结炉内通入保护气氛，并以第二温度对膜座组件保温第二时间，将炉内温度从第二温度升温至第三温度，向烧结炉内通入保护气氛，并以第三温度对膜座组件保温第三时间，控制炉内温度在第四时间降温至第四温度，将膜座组件从第四温度随炉冷却至常温。通过在烧结膜座组件的过程中通入保护气氛，并以不同的温度对膜座组件进行保温，可以达到提高产品质量的效果。