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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117633534A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311661986.2
申请日：2023-12-05
IPC: G06F18/214 , G06F18/10 , G06F18/241 , G06N3/0475 , G06N3/094
Abstract: 本发明实施例涉及一种故障样本生成方法、装置、电子设备及可读存储介质，所述方法包括：获取历史样本数据；依据历史样本数据所属的不同参数类型进行分类；依据分类结果对历史样本数据进行预处理；构建生成对抗网络模型；采用预处理后的历史样本数据对生成对抗网络模型进行训练；将随机噪音输入训练好的生成对抗网络模型生成故障样本。本发明实施例提供的技术方案，通过采用不同的编码策略针对异构故障数据中常见的不同数据类型，使得所有数据类型的样本都能被模型有效处理；通过对生成对抗网络模型的改进，使得改进后的模型可以生成丰富的故障样本，解决了现有技术中样本库数据不平衡，故障样本数量总体偏少或者某类故障样本数量较小的问题。
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公开(公告)号：CN103105591B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310021956.5
申请日：2013-01-22
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 一种零偏置磁传感器探头，所述磁传感器探头的感应部由磁电复合材料构成，所述磁电复合材料由两个磁致伸缩材料层和一个压电单晶材料层组成，两个磁致伸缩材料层顺次层叠在压电单晶材料层的一侧形成三层结构的磁电复合材料；两个磁致伸缩材料层的材质不同，从而使两个磁致伸缩材料层的磁导率和矫顽力存在数值差异，这种数值差异导致磁电复合材料内产生内部磁场，使得零偏置磁场条件下，磁电复合材料就能对外部的微小磁场变化作出反应，最终使磁传感器探头的灵敏度得到提高、缩小磁传感器探头的体积。本发明的有益技术效果是：提出了一种可在零偏置磁场条件下对微小静态磁场进行探测的传感器，该传感器结构简单、体积小巧，适用范围广。
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公开(公告)号：CN103105591A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310021956.5
申请日：2013-01-22
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 一种零偏置磁传感器探头，所述磁传感器探头的感应部由磁电复合材料构成，所述磁电复合材料由两个磁致伸缩材料层和一个压电单晶材料层组成，两个磁致伸缩材料层顺次层叠在压电单晶材料层的一侧形成三层结构的磁电复合材料；两个磁致伸缩材料层的材质不同，从而使两个磁致伸缩材料层的磁导率和矫顽力存在数值差异，这种数值差异导致磁电复合材料内产生内部磁场，使得零偏置磁场条件下，磁电复合材料就能对外部的微小磁场变化作出反应，最终使磁传感器探头的灵敏度得到提高、缩小磁传感器探头的体积。本发明的有益技术效果是：提出了一种可在零偏置磁场条件下对微小静态磁场进行探测的传感器，该传感器结构简单、体积小巧，适用范围广。
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公开(公告)号：CN102937705A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210470961.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的直流磁传感器，包括由磁致伸缩材料层和压电材料层组成的层状结构体，其特征在于：在磁致伸缩材料层上设置有非晶态合金薄膜层，非晶态合金薄膜层和压电材料层分别位于磁致伸缩材料层大平面的两侧。本发明的有益技术效果是：提高了传感器的直流灵敏度，而且尺寸较小，有利于制备小型化高灵敏的磁传感器件，相比传统的磁致伸缩材料/压电材料复合的磁传感器，本发明的传感器既可以探测交流磁场也可以探测直流磁场，具有更强的探测功能。
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公开(公告)号：CN102937705B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210470961.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的直流磁传感器，包括由磁致伸缩材料层和压电材料层组成的层状结构体，其特征在于：在磁致伸缩材料层上设置有非晶态合金薄膜层，非晶态合金薄膜层和压电材料层分别位于磁致伸缩材料层大平面的两侧。本发明的有益技术效果是：提高了传感器的直流灵敏度，而且尺寸较小，有利于制备小型化高灵敏的磁传感器件，相比传统的磁致伸缩材料/压电材料复合的磁传感器，本发明的传感器既可以探测交流磁场也可以探测直流磁场，具有更强的探测功能。
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