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公开(公告)号：CN117574089A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311687411.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F18/20 , G06F18/213 , G06N3/0464 , G06N3/092 , G01M13/045
Abstract: 本发明公开了一种噪声干扰环境自适应的强化学习故障诊断方法，其实施步骤包括：利用加速度传感器获取待测机械设备的正常及不同故障状态下的振动信号，将振动信号分割为多个等长度时间序列样本并对样本的状态类别进行标注，对个样本按照设定信噪比加入不同强度的白噪声并划分为训练集和测试集；建立基于高效通道注意力的空洞残差模型Q网络的智能体并设计基于信噪比的量化奖励函数；结合竞争学习机制与优先经验回放机制方法，进行智能体的自主学习，生成智能体的最优诊断策略，用于干扰环境下的设备故障状态识别。本发明能够较好地解决传统深度强化学习模型对噪声环境的敏感性问题，实现深度强化学习模型在不同噪声干扰环境中的复用移植。
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公开(公告)号：CN112575310B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011355645.9
申请日：2020-11-27
Applicant: 重庆大学
IPC: C23C16/26 , C01B32/186 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，主要包括以下步骤：(1)粉体催化剂的制备；(2)金属基底表面清洗；(3)在保护性气氛下，对步骤(2)得到的金属基底进行退火处理；(4)引入气体碳源，同时用氙灯照射光催化剂表面，在低温条件下进行化学气相沉积；(5)步骤(4)结束后停止加热，快速降至室温即可获得石墨烯薄膜。相比于传统的化学气相沉积法制备石墨烯薄膜，本发明方法大幅降低了以甲烷等含碳物质为碳源、以铜等金属为生长基底的石墨烯化学气相沉积法生长温度，制备的产品均匀性较高，重复性好，适于单层或少层石墨烯的可控制备；且能耗成本大幅降低、工业化可行性高，适于大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114560459A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210061502.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 重庆大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种盐微晶表面催化直接合成石墨烯纳米带的方法，包括以下步骤：制备盐微晶粉末；将有机化合物与盐微晶粉末混合均匀，其中，有机化合物为在450℃~650℃条件下热解能够生成萘环或苝环自由基的有机化合物；通入保护性气体和氢气的混合气体，在450℃~650℃条件下煅烧至反应结束，纯化反应后的产物，得到石墨烯纳米带。本发明突破了现有以贵金属基底合成石墨烯纳米带方法的局限，选用储量大、易获得的NaCl作为合成基底和催化诱导剂，不需要高真空设备，具有环境友好、资源节约的优势；且原料简单、成本低廉、重复性较好，工业化可行性高，有望实现大规模制备。
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公开(公告)号：CN104609406A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510025386.6
申请日：2015-01-19
Applicant: 重庆大学 , 浙江盛元化纤有限公司
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于碳材料制备技术领域，是石墨烯生产领域，特别涉及一种以固体碳源为前驱体，通过二段反应过程，在常压条件下，利用化学气相沉积(CVD)法合成单层石墨烯，并通过对固体碳源的供给量的精确控制，来实现石墨烯层数控制的新方法。该方法是在常压、较低的温度下，在第一段反应过程中，利用一种催化剂，通入一种可以与固体碳源发生反应的气体，在催化剂的作用下将固体碳源转化为含碳的气体反应物种；在第二反应过程中，前面生成的含碳的气体反应物种通过载气的传输，在金属催化剂的作用下，吸附在金属催化剂表面，经吸附/溶解/扩散/析出等物理化学步骤在金属催化剂表面生成石墨烯。通过该方法我们成功合成了单层石墨烯，并且证实了可以利用此方法通过改变无定形碳源的供给量实现石墨烯层数的控制。
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公开(公告)号：CN114560459B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210061502.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 重庆大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种盐微晶表面催化直接合成石墨烯纳米带的方法，包括以下步骤：制备盐微晶粉末；将有机化合物与盐微晶粉末混合均匀，其中，有机化合物为在450℃~650℃条件下热解能够生成萘环或苝环自由基的有机化合物；通入保护性气体和氢气的混合气体，在450℃~650℃条件下煅烧至反应结束，纯化反应后的产物，得到石墨烯纳米带。本发明突破了现有以贵金属基底合成石墨烯纳米带方法的局限，选用储量大、易获得的NaCl作为合成基底和催化诱导剂，不需要高真空设备，具有环境友好、资源节约的优势；且原料简单、成本低廉、重复性较好，工业化可行性高，有望实现大规模制备。
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公开(公告)号：CN104609406B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510025386.6
申请日：2015-01-19
Applicant: 重庆大学 , 浙江盛元化纤有限公司
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明属于碳材料制备技术领域，是石墨烯生产领域，特别涉及一种以固体碳源为前驱体，通过二段反应过程，在常压条件下，利用化学气相沉积(CVD)法合成单层石墨烯，并通过对固体碳源的供给量的精确控制，来实现石墨烯层数控制的新方法。该方法是在常压、较低的温度下，在第一段反应过程中，利用一种催化剂，通入一种可以与固体碳源发生反应的气体，在催化剂的作用下将固体碳源转化为含碳的气体反应物种；在第二反应过程中，前面生成的含碳的气体反应物种通过载气的传输，在金属催化剂的作用下，吸附在金属催化剂表面，经吸附/溶解/扩散/析出等物理化学步骤在金属催化剂表面生成石墨烯。通过该方法我们成功合成了单层石墨烯，并且证实了可以利用此方法通过改变无定形碳源的供给量实现石墨烯层数的控制。
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公开(公告)号：CN112575310A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011355645.9
申请日：2020-11-27
Applicant: 重庆大学
IPC: C23C16/26 , C01B32/186 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，主要包括以下步骤：(1)粉体催化剂的制备；(2)金属基底表面清洗；(3)在保护性气氛下，对步骤(2)得到的金属基底进行退火处理；(4)引入气体碳源，同时用氙灯照射光催化剂表面，在低温条件下进行化学气相沉积；(5)步骤(4)结束后停止加热，快速降至室温即可获得石墨烯薄膜。相比于传统的化学气相沉积法制备石墨烯薄膜，本发明方法大幅降低了以甲烷等含碳物质为碳源、以铜等金属为生长基底的石墨烯化学气相沉积法生长温度，制备的产品均匀性较高，重复性好，适于单层或少层石墨烯的可控制备；且能耗成本大幅降低、工业化可行性高，适于大规模生产。
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