公开(公告)号：CN103395239A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310285386.0

申请日：2013-07-09

Applicant: 重庆大学

Inventor： 黄佳木 ,  香承杰 ,  李少辉 ,  张兴元 ,  赵小丽 ,  覃丽禄

IPC: B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  B32B15/085 ,  B32B15/09 ,  B32B17/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺，属于功能薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法制备一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜，其膜层结构从衬底基片往上依次为：钽过渡层、银层、氮化硅铝介质层。该膜层可见光透过率高，红外辐射率低，拥有较长的使用寿命。本发明制备工艺简单，操作方便，生产成本低廉，具有很好的工业化应用前景。可广泛应用于节能建筑玻璃、汽车玻璃等行业，降低玻璃热损，减少调控室温的能耗。