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公开(公告)号：CN115272568B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210856051.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 重庆大学
IPC: G06T17/00
Abstract: 本发明公开了一种位错界面特征三维可视化方法，通过透射电镜获得图像构建位错界面在晶体坐标系下描述的三维图像，并获取位错界面的组分位错的柏氏矢量；根据三维图像反映的位错界面的构型以及组分位错的柏氏矢量、线方向和所在滑移面法向，获得位错界面的转动轴方向和位错界面的局部区域法向，进一步在三维图像中展示位错界面的局部区域法向，以及根据位错界面的局部区域法向和位错界面的转动轴方向之间的夹角获得位错界面的倾斜和扭转组分信息，在三维图像中展示位错界面的组分分布特征。本发明基于透射电镜位错三维定量表征方法，能够直观呈现位错界面取向和组分信息的空间分布特征。
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公开(公告)号：CN113506366A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110901900.3
申请日：2021-08-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种位错特征的三维图示化表示方法，通过透射电镜获取样品中位错不同角度下的图像，并进行三维重构获得位错在晶体坐标系下描述的三维图像，根据位错的三维图像获得位错的线方向。然后根据位错的线方向和位错的柏氏矢量获得位错的组分信息，根据位错的线方向获得位错与预设晶面的空间关系，并在位错的三维图像中展示位错组分信息的空间分布和位错与预设晶面的空间关系。本发明实现了在位错的三维图像中表征位错特征，能够精确、直观地表征两类位错特征，为位错相关基础科学问题研究提供了技术基础。
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公开(公告)号：CN113506366B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202110901900.3
申请日：2021-08-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种位错特征的三维可视化方法，通过透射电镜获取样品中位错不同角度下的图像，并进行三维重构获得位错在晶体坐标系下描述的三维图像，根据位错的三维图像获得位错的线方向。然后根据位错的线方向和位错的柏氏矢量获得位错的组分信息，根据位错的线方向获得位错与预设晶面的空间关系，并在位错的三维图像中展示位错组分信息的空间分布和位错与预设晶面的空间关系。本发明实现了在位错的三维图像中表征位错特征，能够精确、直观地表征两类位错特征，为位错相关基础科学问题研究提供了技术基础。
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公开(公告)号：CN115272568A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210856051.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 重庆大学
IPC: G06T17/00
Abstract: 本发明公开了一种位错界面特征三维可视化方法，通过透射电镜获得图像构建位错界面在晶体坐标系下描述的三维图像，并获取位错界面的组分位错的柏氏矢量；根据三维图像反映的位错界面的构型以及组分位错的柏氏矢量、线方向和所在滑移面法向，获得位错界面的转动轴方向和位错界面的局部区域法向，进一步在三维图像中展示位错界面的局部区域法向，以及根据位错界面的局部区域法向和位错界面的转动轴方向之间的夹角获得位错界面的倾斜和扭转组分信息，在三维图像中展示位错界面的组分分布特征。本发明基于透射电镜位错三维定量表征方法，能够直观呈现位错界面取向和组分信息的空间分布特征。
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