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公开(公告)号：CN115681389A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211158491.3
申请日：2022-09-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开磁流变阻尼器容积补偿结构，包括一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构、一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构和一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构。本发明使磁流变阻尼器的示功特性圆润饱满，对称性好，十分有利于磁流变阻尼器的智能化控制；相较于传统的浮动活塞补偿结构，本发明没有可动部件，更有利于产品可靠工作，密封和充气工艺要求低，同时外置补偿结构不影响活塞的运动行程。采用双筒结构时，可以在改善磁流变液沉降问题的同时，实现良好的容积补偿。
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公开(公告)号：CN114412950A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111522940.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 重庆大学
Abstract: 发明提供一种多级激励双筒磁流变阻尼器及其控制方法。该阻尼器包括底座、内筒、外筒、导向密封组件、活塞组件和磁路组件。所述外筒的两端敞口分别采用导向密封组件和底座封堵。所述内筒同轴设置于外筒内。所述内筒的外壁与外筒的内壁之间形成有流道腔。所述磁路组件布置在流道腔中。当给线圈通电时，与线圈相邻的流通通道Ⅰ转变为主动流动间隙。所述(N‑1)个线圈正极从底座独立引出。所述(N‑1)个线圈共用负极。所述(N‑1)个线圈的负极并联连接后从底座引出。恒压源对线圈进行激励。该阻尼器大幅扩展磁流变阻尼器的可控阻尼力范围。通过调控施加磁场控制主动流动间隙数量的方式来控制阻尼力的大小，实现不同的阻尼力控制范围的组合。
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公开(公告)号：CN114412950B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111522940.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 重庆大学
Abstract: 发明提供一种多级激励双筒磁流变阻尼器及其控制方法。该阻尼器包括底座、内筒、外筒、导向密封组件、活塞组件和磁路组件。所述外筒的两端敞口分别采用导向密封组件和底座封堵。所述内筒同轴设置于外筒内。所述内筒的外壁与外筒的内壁之间形成有流道腔。所述磁路组件布置在流道腔中。当给线圈通电时，与线圈相邻的流通通道Ⅰ转变为主动流动间隙。所述(N‑1)个线圈正极从底座独立引出。所述(N‑1)个线圈共用负极。所述(N‑1)个线圈的负极并联连接后从底座引出。恒压源对线圈进行激励。该阻尼器大幅扩展磁流变阻尼器的可控阻尼力范围。通过调控施加磁场控制主动流动间隙数量的方式来控制阻尼力的大小，实现不同的阻尼力控制范围的组(56)对比文件CN 109611498 A,2019.04.12CN 103148159 A,2013.06.12CN 103580431 A,2014.02.12CN 106015437 A,2016.10.12CN 110056599 A,2019.07.26许飞鸿.多级线圈磁流变阻尼器性能试验及其结构减震研究《.土木工程》.2017,全文.鞠锐.单筒充气型轿车磁流变液减振器研究《.仪器科学与技术》.2014,全文.
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