公开(公告)号：CN109346524B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201811159206.3

申请日：2018-09-30

Applicant: 重庆大学

Inventor： 胡盛东 ,  郭经纬 ,  杨冬 ,  黄野 ,  袁琦 ,  胡伟 ,  汤培顺 ,  唐唯净

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器件关态时，与漂移区中的N型漂移区形成一系列反向PN结结构，承担一部分耐压，从而将器件的电场引入器件内部，优化整个有源顶层硅内的电场分布和提升器件的击穿电压。另一方面，漂移区中形成的超结结构辅助耗尽漂移区，从而提升漂移区的掺杂浓度，达到降低器件开态时导通电阻的目的。综上，本发明的结构能在提高器件击穿电压的同时降低器件的导通电阻，缓解了功率器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾。

公开(公告)号：CN109346524A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811159206.3

申请日：2018-09-30

Applicant: 重庆大学

Inventor： 胡盛东 ,  郭经纬 ,  杨冬 ,  黄野 ,  袁琦 ,  胡伟 ,  汤培顺 ,  唐唯净

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器件关态时，与漂移区中的N型漂移区形成一系列反向PN结结构，承担一部分耐压，从而将器件的电场引入器件内部，优化整个有源顶层硅内的电场分布和提升器件的击穿电压。另一方面，漂移区中形成的超结结构辅助耗尽漂移区，从而提升漂移区的掺杂浓度，达到降低器件开态时导通电阻的目的。综上，本发明的结构能在提高器件击穿电压的同时降低器件的导通电阻，缓解了功率器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾。