公开(公告)号：CN109761263A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201910198691.3

申请日：2019-03-15

Applicant: 重庆大学

Inventor： 郭江娜 ,  席筱涵 ,  王哲源 ,  黄文强 ,  林文轩 ,  余泽明 ,  李安琪 ,  杨文静 ,  张云怀

IPC: C01G3/02

Abstract: 形貌可控的氧化亚铜晶体制备方法，包括：在水浴反应容器中提供包含铜离子及卤素阴离子的水溶液；将NaOH溶液滴加入水浴反应容器中；再将抗坏血酸滴加入水浴反应器中；以及将产物离心、洗涤、干燥后即得到所需形貌的氧化亚铜晶体，其中水浴反应器的水浴温度始终保持为50～60℃；以及通过选择卤素阴离子类型来调控所需形貌。本发明在单一水相溶剂体系中，仅通过调控卤素阴离子这种单一变量即可实现对立方体、立方八面体和八面体这三种不同形貌氧化亚铜晶体的可控制备，且产品晶体结构完整、形貌均一、纯度高。

公开(公告)号：CN109761263B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201910198691.3

申请日：2019-03-15

Applicant: 重庆大学

Inventor： 郭江娜 ,  席筱涵 ,  王哲源 ,  黄文强 ,  林文轩 ,  余泽明 ,  李安琪 ,  杨文静 ,  张云怀

IPC: C01G3/02

Abstract: 形貌可控的氧化亚铜晶体制备方法，包括：在水浴反应容器中提供包含铜离子及卤素阴离子的水溶液；将NaOH溶液滴加入水浴反应容器中；再将抗坏血酸滴加入水浴反应器中；以及将产物离心、洗涤、干燥后即得到所需形貌的氧化亚铜晶体，其中水浴反应器的水浴温度始终保持为50～60℃；以及通过选择卤素阴离子类型来调控所需形貌。本发明在单一水相溶剂体系中，仅通过调控卤素阴离子这种单一变量即可实现对立方体、立方八面体和八面体这三种不同形貌氧化亚铜晶体的可控制备，且产品晶体结构完整、形貌均一、纯度高。