-
公开(公告)号：CN111777627B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010776418.7
申请日：2020-08-05
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: C07D519/00 , C07D495/04 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种基于卤代二维BDT核心单元的小分子光伏材料及其制备与应用。所述小分子光伏材料利用卤代二维苯并二噻吩核心单元、刚性桥联单元和己基噻吩端基共同构筑A‑π‑D‑π‑A结构的新型小分子给体，本发明通过对称分割目标分子，以简单的偶联和溴代反应为主线，仅用Suzuki偶联、NBS溴代、Still单边偶联和Still双边偶联这四步反应即合成最终目标分子，合成简单且成本低。本发明的小分子光伏材料拥有宽波长范围的紫外‑可见吸收，较深的电子最高占有轨道和最低空轨道，且具有良好的溶解性和吸光性能，可作为小分子有机太阳能电池的电子给体材料，在有机太阳能电池等光伏器件领域具有很大的应用潜力与价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111848649B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010776416.8
申请日：2020-08-05
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: C07D519/00 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种含卤素修饰核心基的共轭小分子半导体材料及其制备与应用。所述小分子半导体材料包含卤代二维噻吩并噻吩核心、桥联单元和己基噻吩端基，其制备方法是循环使用有机锡试剂反应和Still偶联得到目标分子，共七步反应：锡试剂反应、Still偶联反应、锡试剂反应、Still偶联反应、锡试剂反应、Still单边偶联反应和Still双边偶联反应，七步反应中三步锡试剂反应均以无需过柱的粗产物直接投入下一步反应，高效且操作简单。本发明的小分子半导体材料拥有较长范围的紫外‑可见吸收，较深的电子最高占有轨道和最低空轨道，具有良好的溶解性和吸光性能，可以作为小分子有机太阳能电池的电子给体材料。
-
公开(公告)号：CN111704814B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010183215.7
申请日：2020-03-16
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种无需退火可溶液加工的高电导率氧化钼涂料及薄膜制备方法，其特征在于：包括以下步骤1)制备所示钼氧化物的双氧水溶液。2)将含有联硼化合物的配体溶液加入到步骤1)制备的溶液中，获得配位的钼氧化物溶液。3)步骤2)获得的配位的钼氧化物作为涂料的原料。本发明通过在氧化钼溶液中引入配位掺杂剂，进行干燥后再分散于有机溶剂，经湿法制备成膜后无需退火即表现出较好的电导率和较低的粗糙度。本发明的制备方法原料易得，制备工艺简单，无需高温退火，适用于大规模卷对卷印刷。
-
公开(公告)号：CN111777627A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010776418.7
申请日：2020-08-05
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: C07D519/00 , C07D495/04 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 本发明属于小分子给体材料技术领域，具体公开了一种基于卤代二维噻吩并噻吩核心单元的小分子光伏材料及其制备与应用。所述小分子光伏材料利用卤代二维噻吩并噻吩核心单元、刚性桥联单元和己基噻吩端基共同构筑A-π-D-π-A结构的新型小分子给体，本发明通过对称分割目标分子，以简单的偶联和溴代反应为主线，仅用Suzuki偶联、NBS溴代、Still单边偶联和Still双边偶联这四步反应即合成最终目标分子，合成简单且成本低。本发明的小分子光伏材料拥有宽波长范围的紫外-可见吸收，较深的电子最高占有轨道和最低空轨道，且具有良好的溶解性和吸光性能，可作为小分子有机太阳能电池的电子给体材料，在有机太阳能电池等光伏器件领域具有很大的应用潜力与价值。
-
公开(公告)号：CN111704814A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010183215.7
申请日：2020-03-16
Applicant: 重庆大学
IPC: C09D1/00 , C09D5/24 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种无需退火可溶液加工的高电导率氧化钼涂料及薄膜制备方法，其特征在于：包括以下步骤1)制备所示钼氧化物的双氧水溶液。2)将含有联硼化合物的配体溶液加入到步骤1)制备的溶液中，获得配位的钼氧化物溶液。3)步骤2)获得的配位的钼氧化物作为涂料的原料。本发明通过在氧化钼溶液中引入配位掺杂剂，进行干燥后再分散于有机溶剂，经湿法制备成膜后无需退火即表现出较好的电导率和较低的粗糙度。本发明的制备方法原料易得，制备工艺简单，无需高温退火，适用于大规模卷对卷印刷。
-
公开(公告)号：CN111848649A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010776416.8
申请日：2020-08-05
Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC: C07D519/00 , H01L51/46
Abstract: 本发明属于小分子给体材料技术领域，具体公开了一种含卤素修饰核心基的共轭小分子半导体材料及其制备与应用。所述小分子半导体材料包含卤代二维噻吩并噻吩核心、桥联单元和己基噻吩端基，其制备方法特点在于循环使用有机锡试剂反应和Still偶联得到目标分子，共七步反应：锡试剂反应、Still偶联反应、锡试剂反应、Still偶联反应、锡试剂反应、Still单边偶联反应和Still双边偶联反应，七步反应中三步锡试剂反应均以无需过柱的粗产物直接投入下一步反应，高效且操作简单。本发明的小分子半导体材料拥有较长范围的紫外-可见吸收，较深的电子最高占有轨道和最低空轨道，具有良好的溶解性和吸光性能，可以作为小分子有机太阳能电池的电子给体材料。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.02 seconds)
