公开(公告)号：CN103178209B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310110855.5

申请日：2013-04-01

Applicant: 重庆大学

Inventor： 甘平 ,  李奋展 ,  童中华 ,  吴立强 ,  陈卓 ,  刘德鹏 ,  刘涛 ,  刘冬翠

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件，包括源极、栅极和漏极；该MOS器件的结构上从下到上依次为，玻璃作为衬底和ITO作为栅极，PVA与PMMA双层材料结构作为绝缘层，TeO2/并五苯复合材料作为有源激活层；源极和漏极采用金作为电极，所述源极和漏极为叉指状结构。本发明是利用电场来控制固体材料导电性能的有源MOS器件。该器件表现出明显的宽频特性，即在幅频特性上频带较宽。使得该发明成为在传感器，高频电子线路，大规模集成电路和有源主动显示领域有着很好的应用前景。

公开(公告)号：CN103178209A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310110855.5

申请日：2013-04-01

Applicant: 重庆大学

Inventor： 甘平 ,  李奋展 ,  童中华 ,  吴立强 ,  陈卓 ,  刘德鹏 ,  刘涛 ,  刘冬翠

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件，包括源极、栅极和漏极；该MOS器件的结构上从下到上依次为，玻璃作为衬底和ITO作为栅极，PVA与PMMA双层材料结构作为绝缘层，TeO2/并五苯复合材料作为有源激活层；源极和漏极采用金作为电极，所述源极和漏极为叉指状结构。本发明是利用电场来控制固体材料导电性能的有源MOS器件。该器件表现出明显的宽频特性，即在幅频特性上频带较宽。使得该发明成为在传感器，高频电子线路，大规模集成电路和有源主动显示领域有着很好的应用前景。

公开(公告)号：CN203191512U

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201320197516.0

申请日：2013-04-18

Applicant: 重庆大学

Inventor： 甘平 ,  李奋展 ,  童中华 ,  吴立强 ,  余欢 ,  刘涛 ,  刘冬翠

IPC: G01R31/26

Abstract: 本实用新型涉及一种应用于有机薄膜场效应晶体管测试的装置，包括印刷电路和用于支撑所测器件的支撑台；印刷电路板包含三个子电路，分别是共源极测试电路、共漏极测试电路以及共栅极测试电路；印刷电路板的内侧面焊接至少一组探针组件；每组探针组件包括6个探针，6个探针采取“1+5”排列方式，所述支撑台通过螺丝/栓调节印刷电路板与之的间距，实现探针组件与支撑台上的待测试器件紧密接触。该装置根据测试内容的需要将电路的输入端接入函数型号发生器或者扫频仪信号输出端，将电路输出端接示波器，即可进行测试工作。它具有结构简单、成本低廉、易于制作的特点；并且精度相对较高，应用性强。