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公开(公告)号:CN115159854B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202211045011.2
申请日:2022-08-30
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低碳冷烧结工艺制备半透明SiO2玻璃陶瓷的方法,该方法采用分析纯硅酸粉末,取浓度为1‑9mol/L,添加占比为5‑50wt%的碱溶液与分析纯H2SiO3粉料进行混合,充分研磨均匀,倒入模具,施加50‑1000MPa压力,保压5min后,以5‑50oC/min的速率升温加热至100‑300℃,保温0.1‑12 h。本发明采用冷烧结工艺,并加入一定的碱溶液作为液相进行辅助烧结得到半透明的SiO2玻璃陶瓷,其相对致密度可以达到95%以上,透光率可以达到~70%以上,而且制备工艺简单方便,能耗低,烧结时间短,安全低污染。
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公开(公告)号:CN115432957B
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202211052960.3
申请日:2022-08-30
Applicant: 重庆大学
IPC: C04B26/08 , C04B14/30 , C04B35/453 , C04B35/634 , C04B35/645 , C08L27/18 , C08K3/22
Abstract: 本发明公开了一种冷烧结制备ZnO‑PTFE超疏水复合陶瓷的方法,包括将ZnO粉末和PTFE粉料进行球磨混料,获得ZnO‑PTFE复合粉体;将冷烧结助剂加入ZnO‑PTFE复合粉体中,充分研磨均匀,获得待烧结粉末;将待烧结粉末倒入模具,施加压力,采用普通冷烧结或等离子体烧结自然冷却即得ZnO‑PTFE复合陶瓷。本发明采用冷烧结的方式,得到高致密度的ZnO‑聚四氟乙烯复合陶瓷片,相对致密度高于98%,具有超疏水特性,其疏水角度可达160°。
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公开(公告)号:CN116063065A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202211045075.2
申请日:2022-08-30
Applicant: 重庆大学
IPC: C04B35/111 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种精细α‑Al2O3陶瓷的烧结方法。所述Al2O3陶瓷烧结方法可分为两步,第一步是通过冷烧结工艺制备相对致密度为~85%的α‑Al2O3–γ‑Al2O3复合陶瓷,然后第二步通过相对较低的退火温度来促进复合陶瓷的物相转变并进一步提高氧化铝陶瓷的致密度。本发明省去了复杂的造粒工艺和昂贵的压机设备,工艺简单、成本低廉,最终制成的陶瓷材料密度、硬度高,晶粒尺寸小于1μm,而且大大降低了烧结温度,节约生产成本。
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公开(公告)号:CN116067179A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202310203826.7
申请日:2023-03-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种批量化制备陶瓷材料的冷烧结设备,涉及低温烧结设备技术领域,包括支架组件、加热组件、模具组件和液压组件;支架组件包括支撑件、伸缩联轴器、滑动式固定钳、连接固定装置和支撑台,支架组件可通过电性连接好的电机实现相关活动;加热组件主要控制陶瓷样品烧结时的温度升温速率、保温时间等,主要包括温控仪、加热丝等装置;模具组件主要起陶瓷样品成型和烧结的作用,模具组件包括上模具垫块、下模具垫块、模具本体,模具中均匀布置了加热电阻丝并通过温控仪实现模具的升温保温;液压组件固定在工作台上方,液压组件上端可以在液压泵作用下上下移动并在一定压强条件下保持固定。本发明结构设计合理,能够实现冷烧结样品的批量化生产,并针对施加压力和温度的组件进行自动控制,便于进行自动化作业。
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公开(公告)号:CN115910606B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202211627834.6
申请日:2022-12-17
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳秒电脉冲诱导制备高性能PVDF基储能薄膜的方法,其步骤包括:制备聚偏氟乙烯‑六氟丙烯(P(VDF‑HFP)溶液,取适量溶液均匀滴加在清洗干净的玻璃凹槽中,并在一定温度下施加不同的纳秒电脉冲。自然降至室温后,将薄膜淬火,再放入真空干燥箱中干燥,以进一步除去水分和残留溶剂。本发明通过控制纳秒电脉冲的幅值、脉宽、频率、加压时间、真空干燥的时间和温度以及定制凹槽的尺寸,采用溶液浇铸法即可得到β相含量高和储能性能优异的P(VDF‑HFP)薄膜,β相含量达80%以上,充放电能量密度达14 J/cm3,充放电效率可以达到~60%以上。本发明省去了复杂的二次工艺,操作简单,大大节约了生产成本,在高性能PVDF基储能薄膜制备方面有明显的优势和应用前景。
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公开(公告)号:CN116063065B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202211045075.2
申请日:2022-08-30
Applicant: 重庆大学
IPC: C04B35/111 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种精细α‑Al2O3陶瓷的烧结方法。所述Al2O3陶瓷烧结方法可分为两步,第一步是通过冷烧结工艺制备相对致密度为~85%的α‑Al2O3–γ‑Al2O3复合陶瓷,然后第二步通过相对较低的退火温度来促进复合陶瓷的物相转变并进一步提高氧化铝陶瓷的致密度。本发明省去了复杂的造粒工艺和昂贵的压机设备,工艺简单、成本低廉,最终制成的陶瓷材料密度、硬度高,晶粒尺寸小于1μm,而且大大降低了烧结温度,节约生产成本。
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公开(公告)号:CN115910606A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211627834.6
申请日:2022-12-17
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳秒电脉冲诱导制备高性能PVDF基储能薄膜的方法,其步骤包括:制备聚偏氟乙烯‑六氟丙烯(P(VDF‑HFP)溶液,取适量溶液均匀滴加在清洗干净的玻璃凹槽中,并在一定温度下施加不同的纳秒电脉冲。自然降至室温后,将薄膜淬火,再放入真空干燥箱中干燥,以进一步除去水分和残留溶剂。本发明通过控制纳秒电脉冲的幅值、脉宽、频率、加压时间、真空干燥的时间和温度以及定制凹槽的尺寸,采用溶液浇铸法即可得到β相含量高和储能性能优异的P(VDF‑HFP)薄膜,β相含量达80%以上,充放电能量密度达14 J/cm3,充放电效率可以达到~60%以上。本发明省去了复杂的二次工艺,操作简单,大大节约了生产成本,在高性能PVDF基储能薄膜制备方面有明显的优势和应用前景。
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公开(公告)号:CN115159854A
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202211045011.2
申请日:2022-08-30
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低碳冷烧结工艺制备半透明SiO2玻璃陶瓷的方法,该方法采用分析纯硅酸粉末,取浓度为1‑9 mol/L,添加占比为5‑50 wt%的碱溶液与分析纯H2SiO3粉料进行混合,充分研磨均匀,倒入模具,施加50‑1000 MPa压力,保压5 min后,以5‑50 oC/min的速率升温加热至100‑300℃,保温0.1‑12 h。本发明采用冷烧结工艺,并加入一定的碱溶液作为液相进行辅助烧结得到半透明的SiO2玻璃陶瓷,其相对致密度可以达到95%以上,透光率可以达到~70%以上,而且制备工艺简单方便,能耗低,烧结时间短,安全低污染。
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公开(公告)号:CN119930274A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510002194.7
申请日:2025-01-02
Applicant: 重庆大学 , 国家电网公司西南分部 , 西安西电避雷器有限责任公司 , 南方电网科学研究院有限责任公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/626 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高梯度压敏陶瓷粉料、压敏陶瓷及其制备方法。本发明中提供了一种压敏陶瓷粉料,其以ZnO作为主要成分并含有其他掺杂物,所述压敏陶瓷粉料是通过在马弗炉中燃烧按比例混合的Zn、Bi、Co、Mn、Cr、Ni和Sb的盐溶液制成的前驱体所制备。所述压敏陶瓷粉料实现了对成分的良好控制和ZnO与掺杂物之间的均匀分布。此外提供了以上述压敏陶瓷粉料为原始粉体低温烧结压敏陶瓷的方法,所述方法通过两步低温致密化,实现了对压敏陶瓷微观结构的优化。
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公开(公告)号:CN119930273A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510002184.3
申请日:2025-01-02
Applicant: 重庆大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种ZnO压敏陶瓷及简易低温烧结方法,ZnO压敏陶瓷的组成为[100‑(a+b+c+d+e)]mol%ZnO+amol%Bi2O3+bmol%Co3O4+cmol%Mn2O3+dmol%Cr2O3+emol%SnO2,其中2.1≤a+b+c+d+e≤7.5。在800~1000℃的烧结温度下对陶瓷进行烧结,得到所述ZnO压敏陶瓷的电压梯度Eb为1529~2362V/mm,非线性系数α为63~86,泄漏电流密度IL为0.2~0.7μA/cm2,性能优于现阶段商用的ZnO压敏陶瓷,能够满足实际生产环节对于压敏陶瓷性能的要求。
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