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公开(公告)号：CN119652290A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411596750.X
申请日：2024-11-11
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K3/57
Abstract: 本发明公开基于电容耦合取能的自触发方波脉冲发生器，包括电源单元、限流保护电阻、脉冲成形主电路、驱动电路；所述电源单元通过限流保护电阻为脉冲成形主电路供电；所述驱动电路调节脉冲成形主电路开关管通断，使脉冲成形主电路向外输出脉冲；本发明能够给栅源电荷提供时间常数更小的泄放回路，改善Marx电路各级的关断延时；同时也给主开关等效输出电容提供时间常数更小的充电回路，缩短Marx电路每级的输出后沿。
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公开(公告)号：CN119158170A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411254174.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于医疗设备技术领域，具体公开一种基于脉冲电场改善大脑认知能力的装置及应用和穿戴设备，装置包括脉冲发生器以及治疗电极阵列，所述脉冲发生器通过导线与所述治疗电极阵列连接，所述脉冲发生器用于输出脉冲电场并通过所述治疗电极阵列作用于脑部的海马区和/或皮质区，诱导降解效应并清除Aβ蛋白。本发明采用脉冲电场进行无创干预，即使用非侵入式电极进行电场刺激，在保障治疗安全性的同时，有效降解脑组织内分布的Aβ蛋白，从而改善患者大脑的认知能力。
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公开(公告)号：CN119051630A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410872318.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开双极性脉冲前沿陡化电路及其应用，电路拓扑为：电源UB负极所在一端接地，正极所在一端串联限流电阻Rd后分别连接陡化二极管Dp、陡化二极管Dn的阳极；陡化二极管Dp的阴极串联负载RL后连接陡化二极管Dn的阴极。本发明提出的脉冲前沿陡化装置具有显著且可调的前沿陡化效果，在脉冲输出波形整形领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113872572B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111176115.2
申请日：2021-10-09
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K3/57
Abstract: 本申请实施例提供了一种脉冲发生电路及其装置、脉冲发生方法，所述脉冲发生电路包括至少两级脉冲发生单元。各所述脉冲发生单元的第二端都电连接，各所述脉冲发生单元的第三端都电连接；任意相邻两级所述脉冲发生单元之间，前一级所述脉冲发生单元的第四端，与后一级所述脉冲发生单元的第一端电连接；最后一级所述脉冲发生单元的第四端与第二端电连接；第一级所述脉冲发生单元的第一端、第二端用于与电源模块的两端电连接；每级所述脉冲发生单元的第三端、第二端用于与负载电连接；所述脉冲发生电路用于输出恒定幅值的脉冲电流或阶梯状幅值的脉冲电流。采用本申请实施例输出的脉冲电流的幅值能够灵活调整，能够提高消融效果。
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公开(公告)号：CN118217540A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410173382.1
申请日：2024-02-07
Applicant: 重庆大学
IPC: A61N2/02 , A61N2/04 , A61N2/08 , A61N2/12 , A61B17/22 , A61B5/055 , A61B8/08 , G16H20/40 , G16H20/17
Abstract: 本发明公开一种脉冲磁场快速溶栓系统，包括脉冲磁场发生器和磁性载药粒子；所述脉冲磁场发生器用于输出脉冲磁场；所述脉冲磁场发生器包括控制模块和脉冲磁场发生模块；所述控制模块用于控制脉冲磁场发生模块工作，并调节脉冲磁场发生模块输出脉冲参数；所述脉冲磁场发生模块包括储能元件、开关电路和电磁线圈；所述储能元件通过开关电路向电磁线圈放电，在电磁线圈中输出脉冲磁场，控制磁性微粒向磁场梯度增大的方向运动；所述磁性载药粒子靶向深入血栓区域，并响应脉冲磁场，释放药物，实现溶栓；本发明将脉冲磁场施加到结合了溶栓药物的磁性微粒上，极大增加了作用在磁性微粒上的磁力，使磁性微粒能够靶向血栓运动。
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公开(公告)号：CN118161227A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410173381.7
申请日：2024-02-07
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种脉冲导向溶栓的高效能脉冲磁场装置，包括直流电源U0，前端储能电容C1、LC回路和全桥电路；所述直流电源U0为前端储能电容C1充电；所述前端储能电容C1通过全桥电路向LC回路放电，激励LC回路并联谐振，输出瞬时的正弦振荡电流，并在线圈中产生振荡形式的脉冲磁场。本发明提出的磁场发生器具有高能量效率，能够实现线圈中输出脉冲电流相比输入电流的倍增，提高磁场强度。
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公开(公告)号：CN113783555B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110956802.X
申请日：2021-08-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种基于电感储能形成线的纳秒短脉冲功率调制拓扑结构及调制方法，拓扑结构包括调制电阻Rcon、电容C、电源Udc、调制开关Mcut、负载Rload、主开关Mmain、电感储能形成线；调制方法通过调制开关Mcut、主开关Mmain的通断实现。本发明公开的脉冲发生器可以几纳秒到几十纳秒的脉冲宽度连续调制，且在5ns～20ns内连续可调。
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公开(公告)号：CN117458909A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311449760.6
申请日：2023-11-02
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种基于磁感应均流并联SiC MOSFETs脉冲发生器，包括：控制信号产生模块、光电隔离驱动模块、固态开关驱动模块、磁感应均流模块、Marx脉冲发生器输出模块和负载。本发明通过SiC MOSFET开关并联更简单、高效地实现了Marx发生器更大脉冲电流和功率的输出，电路拓扑结构简单、参数灵活可调、可多模块堆叠。本发明采用的磁感应均流技术解决了并联开关器件间不均流问题，保证了并联SiC MOSFET脉冲发生器大电流输出的可靠性和稳定性。本发明提出的基于磁感应均流并联SiC MOSFETs脉冲发生器的脉冲输出电压电流幅值、脉冲宽度、脉冲频率均灵活可调。
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公开(公告)号：CN116454828A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211634776.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种快响应数字式过流保护闭锁装置，包括：控制信号产生模块、固态开关驱动模块、电流检测模块、过流检测判断模块和过流保护闭锁；本发明设计了快响应过流保护模块。过流保护模块分为过流检测和过流锁定两个部分。同时，本发明为数字电路式过流闭锁保护，从而规避工业环境下的强电磁干扰对于软件式过流保护的影响，确保了保护的可靠动作，从而确保系统的正常运行。
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公开(公告)号：CN116054784A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211635436.9
申请日：2022-12-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 一种低成本大功率双极性高压脉冲发生器，包括：控制信号发生模块、固态开关驱动电路、双极限高压脉冲发生器和负载；本发明提出了基于优化型H桥及脉冲变压器的双极性脉冲高压发生器。仅需要一级H桥电路输出一定幅值电压，利用脉冲变压器升压单元对电压进行提升，从而达到高压脉冲发生器的设计指标。本发明可实现高幅值双极性脉冲电压电流波形输出。本发明提出的优化型H桥电路拓扑可在固态开关过流时短时间抑制电流的急剧上升，从而保护固态开关。本发明提出的脉冲变压器的漏感小，优化脉冲电压波形前沿，使得脉冲电压波形具备快上升沿。本发明提出的脉冲发生器具备脉冲电压、脉冲宽度、脉冲频率、正负极性间距灵活可调的特点。
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