制备SiCp/Al电子封装零件的方法

    公开(公告)号:CN101451203B

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN200810237293.X

    申请日:2008-12-30

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明涉及一种制备SiCp/Al电子封装零件的方法,这种方法以SiCp/Al复合材料为原料,采用离心铸造法制备出体积分数为40~75%的SiCp/Al电子封装零件,所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数和高致密度的优点,并且制备过程中工艺和设备简单、制备周期短、能净终成形,有成本低、孔隙率低和材料性能好的优点。

    制备SiCP/Al电子封装零件的方法

    公开(公告)号:CN101451203A

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200810237293.X

    申请日:2008-12-30

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明涉及一种制备SiCp/Al电子封装零件的方法,这种方法以SiCp/Al复合材料为原料,采用离心铸造法制备出体积分数为40~75%的SiCp/Al电子封装零件,所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数和高致密度的优点,并且制备过程中工艺和设备简单、制备周期短、能净终成形,有成本低、孔隙率低和材料性能好的优点。

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