公开(公告)号：CN117647313A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311614211.X

申请日：2023-11-29

Applicant: 重庆大学

Inventor： 韦玮 ,  骆鹏 ,  兰桂莲 ,  李潇轩 ,  杨利平 ,  伍晓芹 ,  郭安然 ,  刘昌举

IPC: G01J3/28 ,  G01J3/26 ,  G01N21/35 ,  G06N3/126

Abstract: 本发明涉及痕量分子检测技术领域，具体涉及一种光电探测及传感一体化的数字超表面红外光谱芯片及制备方法。包括自下而上依次设置的衬底、金属反射层、金属纳米颗粒层、热释电光敏层和数字超表面结构层；所述数字超表面结构层在器件的横切方向上呈像素阵列组成的离散化图形，数字超表面结构层能够在预设光波照射下激发表面等离激元共振，将光场能量局域在目标分子和热释电光敏层内，以提高红外光谱芯片的响应度及传感灵敏度；且通过预设算法设计数字超表面结构层的离散化图形的数组编码，以增强预设空间位置处的电场强度。具有响应度高、传感灵敏度高、信噪比高的优点。

公开(公告)号：CN117637866A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311614208.8

申请日：2023-11-29

Applicant: 重庆大学

Inventor： 韦玮 ,  骆鹏 ,  兰桂莲 ,  张晓健 ,  杨利平 ,  郭安然 ,  刘昌举

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144

Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，具体涉及一种抗辐照硅基单光子探测器面阵及制备方法，包括单光子探测阵列芯片、镀于单光子探测阵列芯片上表面的钝化层以及形成于钝化层上表面的微纳结构阵列；所述钝化层包括SiO2薄膜和位于SiO2薄膜上方的Si3N4薄膜；所述微纳结构阵列为Si3N4薄膜通过刻蚀工艺得到。还公开了上述抗辐照硅基单光子探测器的制备方法。通过将微纳结构阵列与单光子探测器阵列进行纵向集成，减小活性层表面缺陷态密度，在宽波段范围内增强光学透过率，以此提高单光子探测器光电探测性能和抗辐照水平。具有光学透过率高、光电探测性能高和抗辐照性能高等优点，可用于激光雷达、量子信息、荧光测量等领域。