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公开(公告)号：CN118908437A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410402683.7
申请日：2024-04-03
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种芯片封装用硫酸铜电镀液配制装置及方法，涉及芯片封装技术领域，其技术方案要点是：包括五水硫酸铜储罐、负压进料机、进料体积仓、电子秤、硫酸铜溶液配制槽、配制泵一、微孔过滤器一、树脂桶、电镀液配制槽、螺旋喷头、配制泵二、换热器、微孔过滤器二；五水硫酸铜储罐经负压进料机、进料体积仓、电子秤与硫酸铜溶液配制槽连接；硫酸铜溶液配制槽经过微孔过滤器一、树脂桶与电镀液配制槽连通，硫酸铜溶液在硫酸铜溶液配制槽配制后通过配制泵一加入电镀液配制槽；电镀液配制槽与配制泵二、换热器形成循环系统，并经微孔过滤器二进行电镀液充填。本发明的整套配制装置采用自动化仪表及逻辑控制，全流程可实现自动化与智能化操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118186514B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410151138.5
申请日：2024-02-02
Applicant: 重庆大学
IPC: C25D3/38 , C25D7/00 , H05K3/42 , H05K3/00 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的电解液。其电沉积铜电解液含有加速剂、抑制剂、整平剂等添加剂。本发明提供的添加剂同时具有磺酸基、双硫键以及苯并噻唑结构，以双硫健为中心以对称结构引入苯并噻唑结构，并在分子链两端引入磺酸基，在确保良好的水溶性的同时，加速剂中N+、S原子、噻唑环作为活性位点使所述加速剂吸附在铜表面，加速剂分子两端的磺酸基更好的协同氯离子加速铜离子的沉积。本加速剂不含钠离子，避免后续封测工艺对电信号传输的影响，苯杂环结构设计显著降低了镀层分子间的内应力作用。本发明提供的加速剂配置的电镀液，能够满足深宽比超过1的通孔充填，符合先进封装的要求，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118292061B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410417384.0
申请日：2024-04-08
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装用铜电镀液及其制备方法，涉及芯片封装技术领域。本发明提供了巯基化壳聚糖季铵盐作为电镀铜整平剂的应用，所述巯基化壳聚糖季铵盐作为电镀铜整平剂，具有良好的抑制和整平作用，无需搭配抑制剂，并且所述巯基化壳聚糖季铵盐无毒，生物相容性好，可生物降解，环境友好。本发明提供了一种芯片封装用铜电镀液，包括硫酸铜、硫酸、盐酸、整平剂、加速剂、柔软剂和水，所述整平剂为巯基化壳聚糖季铵盐。本发明提供的铜电镀液中巯基化壳聚糖季铵盐具有良好的抑制和整平作用，电镀液无需添加抑制剂；柔软剂可以改善铜镀层力学性能，便于后续加工。本发明提供的芯片封装用铜电镀液电镀效果好，镀层光亮、平整、表面无明显缺陷。
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公开(公告)号：CN118292061A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410417384.0
申请日：2024-04-08
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装用铜电镀液及其制备方法，涉及芯片封装技术领域。本发明提供了巯基化壳聚糖季铵盐作为电镀铜整平剂的应用，所述巯基化壳聚糖季铵盐作为电镀铜整平剂，具有良好的抑制和整平作用，无需搭配抑制剂，并且所述巯基化壳聚糖季铵盐无毒，生物相容性好，可生物降解，环境友好。本发明提供了一种芯片封装用铜电镀液，包括硫酸铜、硫酸、盐酸、整平剂、加速剂、柔软剂和水，所述整平剂为巯基化壳聚糖季铵盐。本发明提供的铜电镀液中巯基化壳聚糖季铵盐具有良好的抑制和整平作用，电镀液无需添加抑制剂；柔软剂可以改善铜镀层力学性能，便于后续加工。本发明提供的芯片封装用铜电镀液电镀效果好，镀层光亮、平整、表面无明显缺陷。
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公开(公告)号：CN118272879A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410305104.7
申请日：2024-03-18
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，公开了一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的加速剂及电沉积铜电解液，本发明提供的电沉积铜电解液含有加速剂，该加速剂是以双硫键为中心，空间对称引入苯并噻唑结构，并在分子链两端引入磺酸基获得，其结构同时具有磺酸基、双硫键以及苯并噻唑结构，在确保良好的水溶性的同时，该加速剂中N+、S原子和噻唑环可作为活性位点，使加速剂吸附在铜表面，其分子两端的磺酸基能更好的协同氯离子加速铜离子的沉积。本发明的加速剂相较于传统加速剂，不含钠离子，避免后续封测工艺对电信号传输的影响，且本发明提供的加速剂配置的电镀液，能够满足深宽比超过1的通孔充填，符合先进封装的要求，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118186514A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410151138.5
申请日：2024-02-02
Applicant: 重庆大学
IPC: C25D3/38 , C25D7/00 , H05K3/42 , H05K3/00 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的加速剂及电沉积铜电解液。其电沉积铜电解液含有加速剂、抑制剂、整平剂等添加剂。本发明提供的添加剂同时具有磺酸基、双硫键以及苯并噻唑结构，以双硫健为中心以对称结构引入苯并噻唑结构，并在分子链两端引入磺酸基，在确保良好的水溶性的同时，加速剂中N+、S原子、噻唑环作为活性位点使所述加速剂吸附在铜表面，加速剂分子两端的磺酸基更好的协同氯离子加速铜离子的沉积。本加速剂不含钠离子，避免后续封测工艺对电信号传输的影响，苯杂环结构设计显著降低了镀层分子间的内应力作用。本发明提供的加速剂配置的电镀液，能够满足深宽比超过1的通孔充填，符合先进封装的要求，具有广阔的应用前景。
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