公开(公告)号：CN117038737B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202311230183.1

申请日：2023-09-21

Applicant: 重庆大学

Inventor： 马荣耀 ,  于毅仁 ,  王若愚 ,  刘涛 ,  陶梦玲 ,  王智宇 ,  胡盛东 ,  黄智勇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种集成JFET结构的碳化硅MOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅、集成JFET和分裂栅槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有N‑漂移区、电流扩展层、左侧P阱、底部P阱、P型基区、P+源区和左侧N+源区；所述分裂栅槽形结构设置有栅氧化层、栅电极和嵌入式源电极；所述左侧N+源区、P+源区、栅氧化层、嵌入式源电极和左侧P阱上方设置有源电极；所述集成JFET设置有P+源区、JFET沟道和底部P阱。本发明降低了器件的反向导通的开启电压，体二极管被抑制并且消除了双极性退化，降低了栅漏电荷，同时降低了器件开关损耗，提升了器件的性能。

公开(公告)号：CN117038737A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311230183.1

申请日：2023-09-21

Applicant: 重庆大学

Inventor： 马荣耀 ,  于毅仁 ,  王若愚 ,  刘涛 ,  陶梦玲 ,  王智宇 ,  胡盛东 ,  黄智勇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种集成JFET结构的碳化硅MOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅、集成JFET和分裂栅槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有N‑漂移区、电流扩展层、左侧P阱、底部P阱、P型基区、P+源区和左侧N+源区；所述分裂栅槽形结构设置有栅氧化层、栅电极和嵌入式源电极；所述左侧N+源区、P+源区、栅氧化层、嵌入式源电极和左侧P阱上方设置有源电极；所述集成JFET设置有P+源区、JFET沟道和底部P阱。本发明降低了器件的反向导通的开启电压，体二极管被抑制并且消除了双极性退化，降低了栅漏电荷，同时降低了器件开关损耗，提升了器件的性能。