公开(公告)号：CN107673773B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201711079124.3

申请日：2017-11-06

Applicant: 重庆交通大学

Inventor： 田松 ,  蔡子田 ,  梁中天 ,  周露 ,  贾研

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种石墨烯改性炭纤维增强碳化硅复合材料的制备方法，通过水热化学还原法成功地将氧化石墨烯引入C/SiC复合材料的炭纤维预制体中，构建了多元多尺度网状结构，制得石墨烯‑炭纤维预制体，再利用化学气相渗透(CVI)工艺沉积SiC基体制备出了石墨烯改性C/SiC复合材料。本发明提供的方法使石墨烯与炭纤维预制体进行自组装，石墨烯与炭纤维发生键合作用，构建了由二维石墨烯与炭纤维组成的具有网络结构的多元多尺度预制体，以充分发挥石墨烯对C/SiC复合材料的力学、耐高温、耐磨、电磁屏蔽等性能的改性作用，利用化学还原自组装工艺与CVI工艺简单且可控的优点，可有效控制石墨烯材料和SiC基体的形貌和结构。

公开(公告)号：CN107572525A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710995647.6

申请日：2017-10-23

Applicant: 重庆交通大学

Inventor： 田松 ,  梁中天 ,  蔡子田 ,  周露

IPC: C01B32/914 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种二维碳化铪纳米片的制备方法，采用低压CVD法在H2+CH4+HfCl4+Ar气体系统中实现了形貌规则的矩形二维HfC纳米片的大规模制备，利用了双温区CVD管式炉具有两个独立加热区的特性，先对高温区的含Ni(NO3)2的炭质基底进行升温，并在升温同时以一定流量通入H2提供还原性气氛，使高温区的炭质基底上的Ni(NO3)2先发生还原反应，然后对低温区进行升温，通过控制低温区的升温速率以及恒温温度实现控制HfCl4升华速率，从而实现控制升华后的HfCl4气体通入高温区的流量，同时控制通入双温区CVD管式炉反应气体H2、CH4和Ar的流量，控制炉内压力和反应时间，最终制备出形貌规则的矩形二维HfC纳米片。

公开(公告)号：CN107673773A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201711079124.3

申请日：2017-11-06

Applicant: 重庆交通大学

Inventor： 田松 ,  蔡子田 ,  梁中天 ,  周露 ,  贾研

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/806 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62873 ,  C04B35/62886 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5256

Abstract: 本发明提供一种石墨烯改性炭纤维增强碳化硅复合材料的制备方法，通过水热化学还原法成功地将氧化石墨烯引入C/SiC复合材料的炭纤维预制体中，构建了多元多尺度网状结构，制得石墨烯-炭纤维预制体，再利用化学气相渗透(CVI)工艺沉积SiC基体制备出了石墨烯改性C/SiC复合材料。本发明提供的方法使石墨烯与炭纤维预制体进行自组装，石墨烯与炭纤维发生键合作用，构建了由二维石墨烯与炭纤维组成的具有网络结构的多元多尺度预制体，以充分发挥石墨烯对C/SiC复合材料的力学、耐高温、耐磨、电磁屏蔽等性能的改性作用，利用化学还原自组装工艺与CVI工艺简单且可控的优点，可有效控制石墨烯材料和SiC基体的形貌和结构。