公开(公告)号：CN119979918A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510055955.5

申请日：2025-01-14

Applicant: 重庆交通大学

Inventor： 罗素琴 ,  伍燕 ,  孟丽萍 ,  仁毅

IPC: C22C1/02 ,  C22C23/06 ,  C22F1/06

Abstract: 本发明公开了一种层错和亚结构可控的高强度高塑性镁合金制备方法，涉及镁合金加工技术领域。本发明通过成分、层错能和变形组合设计，得到常规方法难以实现的高密度层错和亚结构、扭折、再结晶晶粒同时存在的丰富合金组织，进而通过调控层错、亚结构、扭折、再结晶晶粒数量、尺寸、分布等参数得到高强度高塑性镁合金材料。

公开(公告)号：CN119956265A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510055956.X

申请日：2025-01-14

Applicant: 重庆交通大学

Inventor： 罗素琴 ,  伍燕 ,  孟丽萍 ,  仁毅

IPC: C22F1/06 ,  C22C1/03

Abstract: 本发明公开了一种基于原子团簇设计调控镁合金时效析出相的方法，涉及镁合金技术领域。本发明包括XX。本发明通过固溶原子团簇关键原子比例设计，将Sn/Zn原子比设为1，在适当的时效温度下，得到数量最大化且成组相伴析出的Mg2Sn、Mg2Zn时效析出相，Mg2Sn、Mg2Zn因与镁基体位相角度不同，因而Mg2Sn、Mg2Zn在变形过程中能成组钉扎不同方向的位错，从而提高镁合金的强度，其原因为：Sn/Zn原子比约为1的溶质原子团簇可以作为优先形核位置，在随后的人工时效中促进沉淀相形成，提高材料强度，且Mg2Sn、Mg2Zn因与镁基体位相角度不同，Mg2Sn‑Mg2Zn析出对将对位错运动起到显著的钉扎和阻碍作用，提高镁合金临界剪切应力，从而提高材料的屈服强度。

公开(公告)号：CN112501484A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011377810.0

申请日：2020-11-30

Applicant: 重庆交通大学

Inventor： 罗素琴 ,  孟丽萍 ,  伍燕 ,  高正源

IPC: C22C23/00 ,  C22C1/02 ,  C22C1/06 ,  C22F1/06

Abstract: 本发明涉及一种诱导变形镁合金析出T型第二相的方法及产品，属于镁合金技术领域。该变形镁合金包括如下组分：Sn 5‑5.45％，Zn 2.75‑3％，不可避免杂质≤0.15％，余量为Mg；方法如下，将变形镁合金经固溶处理后冷却至室温，再于175‑200℃下时效6‑25h，冷却至室温，即可。该方法中通过控制镁合金中Zn、Sn两种的原子浓度比及时效温度，能够诱导变形镁合金析出T型第二相，从而提高变形镁合金的力学性能，进一步扩大了变形镁合金的使用范围。