一种金属型Cu(In,Ga)Se2材料、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN116161628A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310063857.7

    申请日:2023-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种金属型Cu(In,Ga)Se2材料、制备方法及其应用,属于导电材料技术领域,制备方法包括:将型Cu(In1‑xGax)Se2晶体置于高压装置内,进行加压处理,在压力大于或等于8.6GPa的条件下,保持至少20min,即得,制得的金属型材料在常温常压下可以稳定保持其Pna21结构。本发明方法操作简单,制备过程短、不需要任何传压介质,制备时间短、绿色环保、成本低,而且作为电极材料的金属型Cu(In0.7Ga0.3)Se2可降低黄铜矿太阳能电池的欧姆损耗,提高载流子迁移率,实现能量转换效率的提升。

    一种金属型Cu(In,Ga)Se2材料、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN116161628B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202310063857.7

    申请日:2023-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种金属型Cu(In,Ga)Se2材料、制备方法及其应用,属于导电材料技术领域,制备方法包括:将#imgabs0#型Cu(In1‑xGax)Se2晶体置于高压装置内,进行加压处理,在压力大于或等于8.6GPa的条件下,保持至少20min,即得,制得的金属型材料在常温常压下可以稳定保持其Pna21结构。本发明方法操作简单,制备过程短、不需要任何传压介质,制备时间短、绿色环保、成本低,而且作为电极材料的金属型Cu(In0.7Ga0.3)Se2可降低黄铜矿太阳能电池的欧姆损耗,提高载流子迁移率,实现能量转换效率的提升。

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