公开(公告)号：CN119751064A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411859349.0

申请日：2024-12-17

Applicant: 郑州轻工业大学

Inventor： 陈靖 ,  王世卓 ,  代海洋 ,  王超 ,  张焕君 ,  李涛 ,  张亭亭

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  H10N10/853 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明公开了一种N型Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。该热电材料的化学组成为Mg3+xTaySb1.5Bi0.49Te0.01，其中0.2＜x≤0.4，0＜y≤0.25。制备方法采用球磨结合放电等离子烧结工艺，通过调控Mg含量补偿Mg损失，并掺杂Ta元素，显著减少Mg空位，提高载流子迁移率，大幅提升电学性能，实现较高的功率因子。同时，Ta元素的引入形成声子散射中心，有效降低晶格热导率。材料的最高ZT值达到1.85，表现出优异的热电性能和高稳定性，具有广阔的实际应用前景。

公开(公告)号：CN119504254A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411625782.8

申请日：2024-11-14

Applicant: 郑州轻工业大学

Inventor： 薛人中 ,  张亭亭 ,  刘孝松 ,  张艳 ,  陈靖 ,  李涛 ,  代海洋 ,  张志峰

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01C7/115

Abstract: 本发明属于介电和压敏材料技术领域，公开了一种介电和压敏双功能陶瓷及其制备方法，用以解决无法同时具备优异的介电常数、介电损耗、击穿场强及非线性系数的技术问题。该陶瓷材料由(Y0.5+xBi0.5‑x)2/3Cu3Ti4O12表示，‑0.1≤x≤0.1。以氧化钇、氧化铋、醋酸铜、氧化钛为起始原料，按化学式比例混合，加入乙二胺，室温搅拌后保温一定时间，得到陶瓷粉体，分离、清洗、烘干后压片烧结得到陶瓷材料。本发明制备的陶瓷材料在10 kHz下的介电常数可达14250，介电损耗低至0.017，击穿场强高达17.8 kV/cm，非线性系数为7.9。该陶瓷材料在大容量电容器、高能量密度存储和压敏电阻器等领域具有重要的应用前景。