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公开(公告)号：CN118833861A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411050897.9
申请日：2024-08-01
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明涉及一种铜插层氧化钼材料及其制备方法。该铜插层氧化钼材料的制备方法包括以下步骤：将氧化钼本体利用超声和超临界CO2技术制备六方氧化钼纳米片分散液；将铜盐与六方氧化钼纳米片分散液混合得到溶液一，在所述溶液一中加入过氧化氢得到溶液二，将所述溶液二转移至超临界装置中反应，即得。本发明利用超临界二氧化碳技术构筑的六方氧化钼纳米片，在较低温度下利用过氧化氢和超临界二氧化碳辅助实现铜离子掺杂，在MoO3中引入氧空位和金属离子，得到具有等离子共振性能的氧空位型氧化钼半导体。
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公开(公告)号：CN113045307A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110368986.8
申请日：2021-04-06
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷，涉及电子材料技术领域。所述钛酸钡基陶瓷包括钛酸钡及所述钛酸钡中共掺杂的氧化铜和氧化铋；所述钛酸钡、氧化铜、氧化铋质量占比为(1‑x)：0.5x：0.5x，其中，x取值范围为0＜x≤0.7％；所述钛酸钡基陶瓷的相对密度为94.68～96.69％。本发明采用Bi2O3、CuO共掺杂，Bi2O3和CuO作为烧结助剂能有效降低BaTiO3基陶瓷的烧结温度，节约了能耗，并获得结晶度良好，晶粒尺寸均匀的陶瓷样品。
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公开(公告)号：CN119943231A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510113954.1
申请日：2025-01-24
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G06N20/00 , H01M4/58 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及高熵NASICON钠离子电池正极材料设计领域，具体涉及基于机器学习的高熵NASICON钠离子电池正极材料的设计方法、电池及设备。该方法的包括：建立电极材料数据集；对电极材料数据集中的数据进行筛选和归一化处理，得到电极材料筛选数据集；对所述电极材料筛选数据集进行划分处理，得到电极材料筛选训练集和电极材料筛选测试集；基于所述电极材料筛选训练集和所述电极材料筛选测试集，构建机器学习模型；生成设计数据集；通过密度泛函理论计算验证优化，得到高熵NASICON钠离子电池正极材料设计数据。该实施方式提高了高熵NASICON钠离子电池正极材料设计的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN113698203B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110990105.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , H02M9/04 , H03K3/57
Abstract: 本发明所公开了一种铌酸银基反铁电陶瓷材料，所述铌酸银基反铁电陶瓷材料的化学式为Ag1‑3xYxNb1‑xHfxO3，0≤x≤0.10，优选为0.03≤x≤0.05，具有电场诱导反铁电‑铁电相变特征。该工艺减少了铌酸银陶瓷材料高温烧结时间，能耗下降23%，提高了材料的致密度并减小晶粒尺寸，储能密度和储能效率分别提高了22.2%和13.5%。本发明在降低生产能耗的同时，所得材料的储能密度在2.2～5.3J/cm3，储能效率为42～80％。作为脉冲功率的电源，有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113698203A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110990105.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , H02M9/04 , H03K3/57
Abstract: 本发明所公开了一种铌酸银基反铁电陶瓷材料，所述铌酸银基反铁电陶瓷材料的化学式为Ag1‑3xYxNb1‑xHfxO3，0≤x≤0.10，优选为0.03≤x≤0.05，具有电场诱导反铁电‑铁电相变特征。该工艺减少了铌酸银陶瓷材料高温烧结时间，能耗下降23%，提高了材料的致密度并减小晶粒尺寸，储能密度和储能效率分别提高了22.2%和13.5%。本发明在降低生产能耗的同时，所得材料的储能密度在2.2～5.3J/cm3，储能效率为42～80％。作为脉冲功率的电源，有非常重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113667158A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111081267.4
申请日：2021-09-15
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明涉及低介电聚酰亚胺复合材料技术领域，具体涉及一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜及其制备方法和应用。低介电常数的聚酰亚胺薄膜按照如下步骤制备：以均苯四甲酸二酐和4,4'‑二氨基二苯为原料制备聚酰胺酸溶液，然后添加纳米笼型苯基倍半硅氧烷后，经亚胺化后制得低介电聚酰亚胺基复合薄膜，低介电聚酰亚胺基复合薄膜能够被应用于制备电子器件封装材料及在制备集成电路的层间介质材料中。本发明采用纳米笼型苯基倍半硅氧烷掺杂后，得到在100‑106Hz频率测试范围内，测得介电常数为2.2≤k≤2.5、介电损耗因子0.0011≤D≤0.0073的复合薄膜，复合薄膜具有良好的机械性能，并且工艺简单，原材料易购，价格低廉。
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公开(公告)号：CN113185267A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110590077.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种钴掺杂钙钛矿陶瓷及其制备方法，化学式为La0.5Sr0.5Mn1‑xCoxO3，钴掺杂量x的范围为：0
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公开(公告)号：CN111363951A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010406518.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明公开了一种立方织构Ni-W-Al合金基带的制备方法。首先采用热压烧结的方式制备Ni-W合金，再以Ni-W合金和Al板为原材料，采用真空感应熔炼制备Ni-W-Al合金铸锭，W和Al的原子百分含量分别为5%和8%~11%，然后进行热轧，终轧温度控制在920℃以上，热轧最后一道次后立刻淬火处理，随后进行冷轧开坯及高温退火，退火过程中控制退火气氛，最后再通过精轧及低温退火处理获得高强度、强立方织构的金属基带。本发明在Ni-W合金中添加适量的Al元素，在高温阶段形成强立方织构，在最后低温阶段析出第二相粒子，获得较高的力学性能。采用特殊的气氛可以有效增加最终第二相粒子的析出，进一步提高力学性能。
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公开(公告)号：CN113185267B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110590077.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种钴掺杂钙钛矿陶瓷及其制备方法，化学式为La0.5Sr0.5Mn1‑xCoxO3，钴掺杂量x的范围为：0
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公开(公告)号：CN115231917A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210962495.0
申请日：2022-08-11
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/624 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种利用溶胶凝胶法制备高介电常数、低介电损耗的钛酸铜钙薄膜的方法，该薄膜材料由Ca1‑xCdxCu3Ti4O12表示，其中x的取值为0.3‑0.7。以醋酸钙、醋酸镉、醋酸铜及钛酸四丁酯为起始原料，丙酸和醋酸为络合剂，乙醇或甲醇为溶剂，制备溶胶，提拉法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备钛酸铜钙凝胶膜薄膜，通过改进热处理工艺，获得了光滑、致密的掺镉的钛酸铜钙薄膜。本发明制备的钛酸铜钙薄膜工艺简单、成本低、重复性好，薄膜的介电性能优良，应用前景广泛。
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