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公开(公告)号：CN114527521B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210206754.7
申请日：2022-03-04
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明公开一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，包括：设置在待隐身物体表面的W行×V列可重构超表面隐身单元，相邻的所述可重构超表面隐身单元之间无缝固定拼接，所述可重构超表面隐身单元包括：由下到上依次层叠设置的金属基底层、电介质层和金属纳米天线对；其中，所述电介质层包括由下到上依次层叠设置的Ge2Sb2Se4Te1薄膜和ZnS:SiO2薄膜。本发明能够满足对宽波带、宽角域、偏振不敏感以及可重构隐身技术的需求。
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公开(公告)号：CN110284105B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910555470.7
申请日：2019-06-25
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明提供了一种粉体表面金属化方法及其装置，该装置包括引气管、加热管、加热器及分散装置，引气管的一端设置有进气口和抽气口，引气管的另一端与加热管的一端相连通，加热管的另一端与分散装置相连通，分散装置包括旋转分散机构及搅拌机构，旋转分散机构包括分散腔和电机Ⅰ，搅拌机构包括搅拌组件和电机Ⅱ，一种粉体表面金属化装置的表面金属化方法，包括以下步骤：在密封条件下，在惰性氛围下，以及合适的温度和压力下，将加热管内金属粉加热至熔融状态，启动电机Ⅰ和电机Ⅱ，使粉体处于悬浮状态，待金属化结束，取出粉体，得成品，该装置可以在粉体表面形成一层金属薄膜，并且可以精确的控制粉体材料表面金属薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN112859204A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110028835.8
申请日：2021-01-11
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明涉及一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的可重构超表面隐身斗篷。该隐身斗篷由覆接固定在被隐身物体表面的W行×V列的可重构超表面隐身单元组成，相邻可重构超表面隐身单元之间无缝固定拼接。所述的可重构超表面隐身单元包括下层的边长为p的正方形金属基底层，中层的电介质层和上层的金纳米天线，多组金纳米天线构成W行×V列金纳米天线谐振阵列。利用超表面结构中不同尺寸金纳米谐振天线的表面等离激元共振来调制反射波相位的空间分布，可实现对反射波波前的重建，达到伪装隐形的效果；利用Ge2Sb2Te5薄膜独特相变特性调谐隐身斗篷周围介电环境，可实现隐身性能的连续调谐及“ON”和“OFF”。本发明超表面隐身斗篷实现了工作带宽较宽、入射角域较大，且性能动态可调谐的完美隐形效果。
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公开(公告)号：CN112670347A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110034237.1
申请日：2021-01-12
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/417 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种石墨烯基纳米间隙场发射晶体管及其制作方法，其以石墨烯薄膜作为阴极电子发射材料，金属作为阳极电子接收材料，石墨烯与金属阳极之间间隔真空纳米间隙，平行于石墨烯薄膜的方向上外加调控栅极。将阴极和阳极所加电压在场发射开启点附近，通过调控栅极所加电压来调控石墨烯的费米能级的高低，因为发射电流受材料费米能级影响非常大，从而实现场发射电流的开启与关断。同时，由于石墨烯特殊的能带结构，载流子的弛豫时间非常短。电子阴极到阳极的电子输运模式以弹道输运为主，等效迁移率极高。因此本发明具有极高的频率特性。而且，本发明所述器件可以实现2‑5nm的源漏间距。
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公开(公告)号：CN111948013B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010688412.4
申请日：2020-07-16
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: G01N1/34 , G01N1/38 , B01D53/26 , B01F23/70 , B01F25/20 , B01F25/43 , B01F25/50 , B01F29/80 , B01F33/82
Abstract: 物理实验室用绝缘气体干燥及均匀混合装置，包括支架，支架上设有上干燥部和下混合部，上干燥部包括垂直设置的干燥筒，干燥筒前侧和后侧均设有进气管接头，干燥筒上端和下端分别设有上筒盖和下筒盖，干燥筒内同轴线设有弧心角均为90°的左弧形板和右弧形板，干燥筒内设有转动连接在左弧形板和右弧形板外圆周的分子筛筒，下筒盖的中心开设有与下混合部的进气口连接的出气口。本发明原理科学，结构独特，即可单独对一种气体进行干燥处理，也可以对两种气体进行干燥合混合处理，本发明将干燥和混合功能组合为一体结构，干燥模块（硅铝多孔氧化物）采用旋转式更换方式，分别处于工作位和再生位，操作方便，具有干燥和混合效果好的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111681888B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010598362.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: H01G13/00
Abstract: 本发明涉及电容器加工技术领域，公开了一种超级电容器加工用装置，包括框架的两相对内壁分别设有滑道，下压装置通过第一支撑架安装于框架上，上抬装置的上端具有垫块，垫块设于缺口的正下方，垫块沿竖直方向做往复运动，垫块的上端具有半圆柱状的凸台，凸台的轴向与垫块沿长度方向的中心线平行，凸台的左右两端与垫块的左右两端齐平，凸台的直径等于两支脚标准状态时的水平间距，其中，标准状态为支脚未发生歪斜，侧压装置的相对端分别具有推块，推块分别设置于缺口的正前方和正后方，垫块推块沿前后方向做往复运动。本发明装置实现了对支脚的整理，使其保持正常水平，方便下一步工人进行裁剪或机器进行裁剪，节省不必要的劳动力，提升加工效率。
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公开(公告)号：CN110257008B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910555498.0
申请日：2019-06-25
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明提供了一种聚合多晶金刚石磨粒的制造方法，包括以下步骤：对金刚石粉体进行表面镀钛；将镀钛金刚石粉体压制成块体；将成型后的金刚石粉体块进行烧结，在升温速度为5~10℃/min的条件下，升温至950~1050℃，保持1.5~2.5h，然后在降温速度为3~7℃/min的条件下将温度降至室温；将烧结后的金刚石粉体块在球磨机中与进行球磨；在球磨后得到的粉体中加入盐酸，盐酸体积分数为10~15%，加热搅拌，加热温度为40~60℃；将盐酸处理后的粉体取出，用纯水清洗至PH值为6.8~7.2，待粉体干燥后得聚合多晶金刚石磨粒；本方法成本低，金刚石堆积密度高，金刚石与粘结剂之间可以形成牢固的化学键，结合力较强。
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公开(公告)号：CN111681888A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010598362.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: H01G13/00
Abstract: 本发明涉及电容器加工技术领域，公开了一种超级电容器加工用装置，包括框架的两相对内壁分别设有滑道，下压装置通过第一支撑架安装于框架上，上抬装置的上端具有垫块，垫块设于缺口的正下方，垫块沿竖直方向做往复运动，垫块的上端具有半圆柱状的凸台，凸台的轴向与垫块沿长度方向的中心线平行，凸台的左右两端与垫块的左右两端齐平，凸台的直径等于两支脚标准状态时的水平间距，其中，标准状态为支脚未发生歪斜，侧压装置的相对端分别具有推块，推块分别设置于缺口的正前方和正后方，垫块推块沿前后方向做往复运动。本发明装置实现了对支脚的整理，使其保持正常水平，方便下一步工人进行裁剪或机器进行裁剪，节省不必要的劳动力，提升加工效率。
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公开(公告)号：CN112670347B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110034237.1
申请日：2021-01-12
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/417 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种石墨烯基纳米间隙场发射晶体管及其制作方法，其以石墨烯薄膜作为阴极电子发射材料，金属作为阳极电子接收材料，石墨烯与金属阳极之间间隔真空纳米间隙，平行于石墨烯薄膜的方向上外加调控栅极。将阴极和阳极所加电压在场发射开启点附近，通过调控栅极所加电压来调控石墨烯的费米能级的高低，因为发射电流受材料费米能级影响非常大，从而实现场发射电流的开启与关断。同时，由于石墨烯特殊的能带结构，载流子的弛豫时间非常短。电子阴极到阳极的电子输运模式以弹道输运为主，等效迁移率极高。因此本发明具有极高的频率特性。而且，本发明所述器件可以实现2‑5nm的源漏间距。
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公开(公告)号：CN114527521A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210206754.7
申请日：2022-03-04
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明公开一种偏振不敏感的主动超表面隐身斗篷，包括：设置在待隐身物体表面的W行×V列可重构超表面隐身单元，相邻的所述可重构超表面隐身单元之间无缝固定拼接，所述可重构超表面隐身单元包括：由下到上依次层叠设置的金属基底层、电介质层和金属纳米天线对；其中，所述电介质层包括由下到上依次层叠设置的Ge2Sb2Se4Te1薄膜和ZnS:SiO2薄膜。本发明能够满足对宽波带、宽角域、偏振不敏感以及可重构隐身技术的需求。
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