公开(公告)号：CN117723529A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311751599.8

申请日：2023-12-19

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 ,  河南省功能金刚石研究院有限公司

Inventor： 吴晓磊 ,  刘晖 ,  徐帅 ,  赵延军 ,  周文涛 ,  曹博伦 ,  闫建明 ,  康世豪 ,  闫宁

IPC: G01N21/73

Abstract: 本发明提出了一种实时检测CVD金刚石沉积的高精度光谱检测方法，包括以下步骤：S1：将光谱诊断装置的光纤探头固定在CVD设备的石英观察窗口上，调节光纤探头角度实现光纤探头在沉积台径向不同位置的高精度定位；S2：采集等离子体径向不同位置点处的背景信号和CVD设备中金刚石沉积过程中等离子体径向不同位置点处的光谱信号；S3：识别光谱信号中的特征峰，利用光谱特征峰强度对CVD金刚石沉积过程稳定性进行检测与判定；S4：利用不同离子基团的特征值，对该工艺下CVD金刚石的有效沉积范围和沉积品质进行检测评价。本发明所提出的检测方法方便快捷，能够在沉积反应过程中实现对CVD金刚石沉积稳定性和有效沉积面积的高精度检测方法。

公开(公告)号：CN117535647A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311572193.3

申请日：2023-11-23

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 ,  河南省功能金刚石研究院有限公司

Inventor： 曹博伦 ,  徐帅 ,  吴晓磊 ,  赵延军 ,  周文涛 ,  刘晖 ,  闫建明 ,  康世豪 ,  闫宁

IPC: C23C16/27 ,  C30B29/04 ,  C30B28/14 ,  C23C16/01 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开一种高光学透过率CVD多晶金刚石厚膜的制备方法，通过将制备的CVD多晶金刚石自支撑膜退火、双面平坦化抛光、清洗，然后在金刚石膜表面再次生长金刚石膜的方式制备了厚度可达毫米级以上的光学金刚石厚膜，解决了现有工艺制备多晶金刚石厚膜时由于晶体取向失控和晶体缺陷引起的金刚石品级光学性能严重降低的问题。经本发明方法制备的金刚石厚膜晶粒平均尺寸＜80μm，黑色缺陷尺寸＜5μm，黑色缺陷密度＜3/cm2，红外波段光学透过率70.8%~71.2%，可应用于X射线窗口、红外制导窗口、高能微波馈入窗口等光学器件。

公开(公告)号：CN117566737A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311562205.4

申请日：2023-11-22

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 邵俊永 ,  吴晓磊 ,  徐帅 ,  周文涛 ,  闫建明 ,  闫宁 ,  赵延军

IPC: C01B32/26

Abstract: 本发明提供了一种金刚石微球的制备方法，属于微纳米粉体材料合成技术领域。其以单晶硅作为衬底，在衬底表面实施化学刻蚀获得有利于金刚石均匀形核的表面结构，采用CVD技术，在过饱和碳离子浓度条件下，通过沉积气压、温度、时间的控制，在单晶硅衬底上沉积多晶金刚石微球。本发明所制备的金刚石微球形状规则且近似球形，粒径可控且粒径均一，在高导热填充材料、聚合物涂层、以及生物医学中的诊断、成像和治疗载体等技术领域有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN115726034A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211647886.X

申请日：2022-12-21

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 刘晖 ,  周文涛 ,  吴晓磊 ,  徐帅 ,  潘红星 ,  闫建明 ,  曹博伦

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/20 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明公开了一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法，通过化学气相沉积在衬底表面沉积生长形成一次外延层，再用激光将多个衬底正交交点处的晶体缺陷去除并形成矩形槽；通过常规清洗和离子清洗去除拼接晶体一次外延层表面的污染物后，通过化学气相沉积在一次外延层表面生长单晶金刚石二次外延层；采用该方法拼接生长后能够得到拼接晶体多个衬底正交交点处无晶体缺陷的大尺寸单晶金刚石拼接晶体。

公开(公告)号：CN114411112A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111523327.3

申请日：2021-12-14

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 徐帅 ,  吴晓磊 ,  刘晖 ,  周文涛 ,  曹博伦 ,  闫建明 ,  董聚祥

IPC: C23C16/00 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N21/88 ,  G16C20/70

Abstract: 本发明提供一种CVD单晶金刚石位错密度的检测方法，包括单晶金刚石待测表面的研磨抛光和清洗，并通过化学腐蚀去除晶体表面机械损伤层，然后采用离子刻蚀的方法在单晶金刚石的待测表面形成位错蚀坑，对待测表面取样并对表面形貌进行检测，统计取样面积内位错蚀坑数量，最后计算得到单晶金刚石的位错密度，采用该方法可准确实现CVD单晶金刚石{100}或{111}晶面位错密度的检测。

公开(公告)号：CN115726034B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202211647886.X

申请日：2022-12-21

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 刘晖 ,  周文涛 ,  吴晓磊 ,  徐帅 ,  潘红星 ,  闫建明 ,  曹博伦

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/20 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明公开了一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法，通过化学气相沉积在衬底表面沉积生长形成一次外延层，再用激光将多个衬底正交交点处的晶体缺陷去除并形成矩形槽；通过常规清洗和离子清洗去除拼接晶体一次外延层表面的污染物后，通过化学气相沉积在一次外延层表面生长单晶金刚石二次外延层；采用该方法拼接生长后能够得到拼接晶体多个衬底正交交点处无晶体缺陷的大尺寸单晶金刚石拼接晶体。