硅热法炼镁方法及出渣方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117758064A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311587513.2

    申请日:2023-11-24

    Abstract: 本发明提供了一种硅热法炼镁方法及出渣方法。该炼镁方法及出渣方法主要通过配料过程中控制原料中的氧化镁与氧化钙的含量,使其中的氧化镁与氧化钙的比例小于1:1,炼镁球团经过高温还原处理后,还原渣温度降至晶型转变温度以下后,还原渣中的硅酸二钙转变为γ型硅酸二钙,发生体积膨胀,从而粉化,也避免还原渣粘罐,提高出渣效率和缩短出渣时间,从而提高了生产效率和缩短了冶炼周期,且氧化镁的还原率均在90%以上;而且本发明提供的上述硅热法炼镁方法及出渣方法还具有以下特点:适用性强,对原料要求低,无需改变目前炼镁的工艺技术,通过调节氧化钙与氧化镁的含量也可以提高氧化镁的利用率,可以实现低品位矿产资源综合利用。

    一种银合金键合线及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117712072A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311678227.7

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 本发明涉及封装用材料技术领域,尤其是涉及一种银合金键合线及其制备方法和应用。本发明的一种银合金键合线,包括芯材;所述芯材,按照质量百分数计,包括如下成分:Al 0.5wt%~0.7wt%、Ce 0.6wt%~1wt%、碳纳米管1wt%~3wt%、Sb 0.3wt%~0.5wt%,余量为Ag。本发明的银合金键合线,通过各元素的相互配合,提高了银合金键合线的力学性能、加工性能、耐腐蚀性能和抗电子迁移性能;将其用于电子封装中,能够满足微细线径加工及高密度引线LED器件的封装需求。

    熔断器用熔体材料及其制备方法和熔断器

    公开(公告)号:CN114941084A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210553842.4

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本发明提供了一种熔断器用熔体材料及其制备方法和熔断器,涉及电工技术领域。该熔断器用熔体材料按照质量百分比计包括如下成分:Ce0.003~0.006%,Zr 0.005~0.01%和Ni 0.003~0.006%;余量Ag,且银的质量百分比大于等于99.9%;和可接受量的杂质。该熔断器用熔体材料具有良好的抗自然时效软化性能,避免了熔体用纯银带材硬度的下降导致冲孔出现脱模困难、裂边、刺突毛边和银材孔隙开裂等缺陷,以及降低了下游产品的废品率。

    硅溶胶复合固化剂及其制备方法和在熔断器中的应用

    公开(公告)号:CN117756494A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311573070.1

    申请日:2023-11-22

    Abstract: 本发明提供了硅溶胶复合固化剂及其制备方法和在熔断器中的应用。所述硅溶胶复合固化剂的原料引入了酸性硅溶胶和氧化钙粉末,利用氧化钙与酸性硅溶胶中的水发生反应自生热,可以实现快速固化,大幅减低固化时间,提升生产效率。所述硅溶胶复合固化剂的原料中还引入了纳米Fe粉和Cu防蚀剂能够提高Cu的抗氧化腐蚀性,进一步有利于提高熔断器中的银铜复合熔体材料的抗氧化性,使采用上述固化剂的熔断器可以实现防止熔断器中的银铜复合熔体材料氧化腐蚀,保证电阻率稳定及界面结合强度。同时由于上述固化剂中各原料均匀混合提高了熔断器灭弧填充物的质地均一性,有利于有效的减少铜条锈蚀,维持熔断器中的银铜复合熔体材料电阻率的稳定。

    一种键合线及其制备方法和LED器件

    公开(公告)号:CN117712071A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311675157.X

    申请日:2023-12-07

    Abstract: 本发明涉及封装用材料技术领域,尤其是涉及一种键合线及其制备方法和LED器件。本发明的一种键合线,包括芯材;所述芯材,按照质量百分数计,包括如下成分:Cu 5wt%~10wt%、石墨烯2wt%~7wt%、Sm0.25wt%~0.5wt%、Zr 1wt%~1.5wt%,余量为Ag。本发明通过向键合线中添加Zr元素和石墨烯并合理控制其含量,同时与Cu元素和Sm元素相互配合,提高了银合金键合线的力学性能、抗腐蚀性、耐高温性能稳定性、抗电子迁移能力和可靠性;能够满足低成弧、循化高温等复杂键合环境下的大功率LED器件键合需求。

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