公开(公告)号：CN119330735A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411501383.0

申请日：2024-10-25

Applicant: 郑州大学

Inventor： 王海龙 ,  黄飞龙 ,  方成 ,  李明亮

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供了一种高熵硼化物陶瓷复合材料的低温制备方法，包含以下步骤：首先将碳纤维束剪切成长度约为2mm的短切碳纤维；然后将高熵硼化物粉体、SiC粉体、Co粉和短切碳纤维均匀混合；最后将混合粉体在温度为1400~1600℃，压力为30~60MPa条件下，进行放电等离子烧结获得高熵硼化物陶瓷复合材料，Co粉烧作为结助剂和短碳纤维的引入同时实现了复合材料的低温致密化和断裂韧性的提升，与不含Co的复合材料相比，制备的复合材料致密度提升超过35%；与不含短碳纤维的高熵硼化物陶瓷相比，制备的复合材料断裂韧性提升1.7~1.8倍。本方法解决了高熵超高温陶瓷在低温难以有效致密化以及断裂韧性低的难题。

公开(公告)号：CN117209288A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311268366.2

申请日：2023-09-28

Applicant: 郑州大学

Inventor： 王海龙 ,  黄飞龙 ,  方成 ,  李明亮 ,  谢薇 ,  朱锦鹏 ,  邵刚 ,  王海亮 ,  刘雯 ,  蔡蓓

IPC: C04B35/58

Abstract: 本申请属于高熵超高温陶瓷领域，具体为一种高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法。该复合材料由以下方法获得：首先以过渡金属单质和硅粉为原料合成(V0.2Nb0.2Cr0.2Mo0.2W0.2)Si2粉体；然后将(V0.2Nb0.2Cr0.2Mo0.2W0.2)Si2、B4C和C三种粉体按摩尔比2:1:3混合均匀并进行原位反应烧结；最后在较低温度下获得了致密的(V0.2Nb0.2Cr0.2Mo0.2W0.2)B2‑SiC复合材料。