一种钼酸镧基氧离子导体的激光制备方法

    公开(公告)号:CN102584330B

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201210048597.8

    申请日:2012-02-29

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明属于固体氧化物氧离子导体的制备技术领域,特别涉及一种钼酸镧基氧离子导体的激光制备方法。以la2O3、MoO3、WO3粉末为原料,按照La2Mo2-xWxO9中x取值0.2-1.2的摩尔比配比,混合均匀、压坯之后进行预烧,再用CO2激光束照射使之充分反应。本发明制备方法工艺简单、成本低、耗时短、能耗低、工艺重复性好,获得的钼酸镧基氧离子导体样品致密度高、氧离子电导率高。

    一种钼酸镧基氧离子导体的激光制备方法

    公开(公告)号:CN102584330A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210048597.8

    申请日:2012-02-29

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明属于固体氧化物氧离子导体的制备技术领域,特别涉及一种钼酸镧基氧离子导体的激光制备方法。以la2O3、MoO3、WO3粉末为原料,按照La2Mo2-xWxO9中x取值0.2-1.2的摩尔比配比,混合均匀、压坯之后进行预烧,再用CO2激光束照射使之充分反应。本发明制备方法工艺简单、成本低、耗时短、能耗低、工艺重复性好,获得的钼酸镧基氧离子导体样品致密度高、氧离子电导率高。

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