公开(公告)号：CN101525153A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910009688.9

申请日：2009-02-04

Applicant: 通用电气公司

Inventor： N·卡卡达 ,  S·K·拉马塞沙

IPC: C01G23/047 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/002 ,  H01G9/2031 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 低带隙半导体氧化物、其制造方法以及包含其的染料敏化太阳能电池。低带隙半导体氧化物(18)，其包含用选自碳、氮、氟及其组合的阴离子掺杂的纳米晶体多孔粒子，其中该掺杂的纳米晶体多孔半导体氧化物具有比未掺杂的半导体氧化物更低的带隙能。使用燃烧合成方法来制备该低带隙材料。还公开了含有该掺杂的半导体氧化物(18)的染料敏化太阳能电池(10)。